单量子阱

作品数：124被引量：138H指数：5
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阱内δ掺杂GaSbBi单量子阱红外发光效率的光致发光光谱研究
《红外与毫米波学报》2022年第1期317-322,共6页马楠 窦程 王嫚 朱亮清 陈熙仁 刘锋 邵军 
国家自然科学基金项目(11974368,61675224);上海市自然科学基金和科学仪器领域项目(18ZR1446100,20142201000);中国科学院上海技术物理研究所创新项目(CX-289)。
采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化...
关键词：红外光致发光 GaSbBi 发光效率 阱内δ掺杂 
线性分布的In组分对紫色InGaN/GaN单量子阱发光特性的影响
《半导体光电》2021年第3期380-384,共5页张杰 刘炜 张淑媛 
国家自然科学基金项目(62074129)。
采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性。通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等,发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样...
关键词：InGaN/GaN量子阱 In组分的线性分布 极化效应 辐射复合 
Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱结构极化和光谱仿真分析
《发光学报》2021年第1期111-117,共7页王鑫炜 刘宏伟 高克 张赞允 李晓云 宁平凡 王笃祥 牛萍娟 
国家自然科学基金(61504093);国家留学基金委资助访问学者项目(201809345004);天津市科技计划(19JCTPJC48000,18ZXCLGX00090,18JCYBJC85400);天津市教委科研计划(2017ZD06);天津市高等学校创新团队培养计划(TD13-5035)资助项目。
通过有限元分析,利用COMSOL软件模拟计算了Nano-LED半极性面InGaN/GaN单量子阱距离边缘不同位置的应变和压电极化分布,并结合模拟得到的量子阱极化电场,采用Silvaco软件计算得到了Nano-LED InGaN/GaN单量子阱距离边缘不同位置的发光光...
关键词：Nano-LED 量子阱应变 极化效应 有限元分析 
2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究
《红外与激光工程》2018年第5期1-5,共5页李翔 汪宏 乔忠良 张宇 徐应强 牛智川 佟存柱 刘重阳 
新加坡国家研究基金会(NRF-CRP12-2013-04);国家自然科学基金(61790581;61790582;61435012;61308051)
展示了一种低阈值(~131 A/cm^2)2μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)激光器,并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的整流结的理想因子n...
关键词：半导体激光器 理想因子n 单量子阱 
激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响
《电子测试》2018年第8期42-43,48,共3页莫敏.赛来 奥布力喀斯木.祖农 普拉提.艾合买提 
国家自然科学基金项目(11364041)
Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)光致...
关键词：化合物半导体 希氮 光致发光 载流子浓度 激子 复合 束缚态 
1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2014年第6期1-4,共4页何斌太 刘国军 魏志鹏 安宁 刘鹏程 刘超 王旭 
国家自然科学基金资助项目(61006039;61370043);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115)
设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs...
关键词：GaAsSb/GaAs 量子阱 垂直腔面发射激光器 阈值电流 斜率效率 
MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究被引量：4
《中国激光》2014年第11期173-177,共5页刘洋 李林 乔忠良 苑汇帛 谷雷 戴银 李特 曲轶 
国家自然科学基金(60976038;61107054;61308051);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419;20140101192);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301)
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱...
关键词：材料 金属有机化学气相沉积 INGAAS/GAAS量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 
InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究被引量：2
《光学学报》2014年第11期342-347,共6页戴银 李林 苑汇帛 乔忠良 孔令沂 谷雷 刘洋 李特 曲轶 刘国军 
国家自然科学基金(60976038;61107054;61308051;61370043);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301)
利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱P...
关键词：薄膜 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs单量子阱 生长速率 生长温度 光致发光 
学人风采
《荆楚理工学院学报》2014年第2期F0003-F0003,共1页
吴麟章，男，1969年生，江西余干人，中共党员，工学博士、二级教授、博士生导师，享受国务院政府特殊津贴专家。曾任湖北工业大学党委常委、副校长；现任荆楚理工学院院长、党委副书记。吴麟章教授先后就读于浙江大学、清华大学和德国...
关键词：工程技术研究中心 国家自然科学基金 单量子阱激光器 半导体激光器 ALGAINP 半导体薄膜材料 光电子器件 博士生导师 
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究被引量：4
《量子电子学报》2014年第1期107-115,共9页张大庆 李国斌 陈长水 
国家自然科学基金(60878063);广东省自然科学基金重点项目(10251063101000001;8251063101000006)联合资助
通过对In_xGa_(1-x)N掺杂不同组份的In来改变In_xGa_(1-x)N的禁带宽度,从而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系、通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱...
关键词：光电子学 量子阱垒高 In含量 数值模拟 INGAN GAN发光二极管 
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