刘鹏程

作品数：4被引量：6H指数：2
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供职机构：长春理工大学更多>>
发文主题：INGAASSBGAASSB半导体激光器阈值电流垂直腔面发射激光器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《长春理工大学学报（自然科学版）》《激光与红外》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金吉林省科技发展计划基金国家教育部博士点基金更多>>
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1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计被引量：3
《激光与红外》2015年第5期505-508,共4页何斌太 刘国军 魏志鹏 刘超 安宁 刘鹏程 王旭 
国家自然科学基金资助项目(No.61006039;No.61370043);吉林省科技发展计划(No.20121816;No.201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(No.9140C310101120C031115)资助课题
为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变In Ga As Sb/Ga As Sb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软...
关键词：半导体激光器 InGaAsSb/GaAsSb 量子阱 有源区 
2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究被引量：2
《半导体光电》2015年第2期205-208,212,共5页安宁 刘国军 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉 
国家自然科学基金项目(61006039;61370043)
为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力...
关键词：InGaAsSb/AlGaAsSb 应变补偿 临界厚度 能带结构 增益 阈值电流 
InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法被引量：2
《物理学报》2014年第24期346-351,共6页刘超 魏志鹏 安宁 何斌太 刘鹏程 刘国军 
国家自然科学基金(批准号:61076039;61204065;61205193;61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20112216120005);吉林省科技发展计划(批准号:20121816;201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号:9140C310101120C031115)资助的课题~~
讨论了计算In Ga As Sb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法,比较了它们的计算结果.将两者化成相同形式下的等价公式后发现,二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响.通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响,提出一...
关键词：INGAASSB 禁带宽度 弯曲因子 
1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2014年第6期1-4,共4页何斌太 刘国军 魏志鹏 安宁 刘鹏程 刘超 王旭 
国家自然科学基金资助项目(61006039;61370043);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115)
设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs...
关键词：GaAsSb/GaAs 量子阱 垂直腔面发射激光器 阈值电流 斜率效率 
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