INGAASSB

作品数：14被引量：24H指数：3
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相关机构：长春理工大学中国科学院北京师范大学太原理工大学更多>>
相关期刊：《强激光与粒子束》《Journal of Semiconductors》《红外》《Chinese Physics B》更多>>
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原子层沉积Al_(2)O_(3)钝化对InAs/InGaAsSbⅡ类超晶格发光特性的影响被引量：1
《光子学报》2024年第7期85-93,共9页项超 王登魁 方铉 房丹 闫昊 李金华 王晓华 杜鹏 
国家自然科学基金(Nos.62074018,62174015,62275032);吉林省科技发展项目(Nos.20230508053RC,20210509061RQ);吉林省自然科学基金(Nos.20210101473JC,20210101150JC)。
提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法,采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层,利用原子层沉积Al_(2)O_(3)薄膜钝化刻蚀表面,对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性。处理后超晶格...
关键词：InAs/InGaAsSb超晶格 钝化 Al_(2)O_(3) 原子层沉积 发光特性 
Room-temperature continuous-wave InP-based 2.01 μm microcavity lasers in whispering-gallery modes with InGaAsSb quantum well
《Chinese Optics Letters》2023年第4期65-68,共4页郭强强 张锦川 朱怡璇 高旭 陆全勇 卓宁 翟慎强 刘俊岐 王利军 刘舒曼 刘峰奇 
supported by the National Basic Research Program of China(No.2021YFB3201900);the National Natural Science Foundation of China(Nos.61991430,61790583,and 61774150);the Youth Innovation Promotion Association of the Chinese Academy of Sciences(No.2021107)。
We demonstrated an electrically pumped InP-based microcavity laser operating in continuous-wave mode.The active region is designed with antimony surfactants to enhance the gain at 2 μm,and a selective electrical isol...
关键词：whispering-gallery mode continuous-wave operation electrical isolation directional emission 
Performance of dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on InGaAsSb bulk materials and InAs/GaSb superlattices
《Chinese Physics B》2017年第9期526-529,共4页孙姚耀 吕粤希 韩玺 郭春妍 蒋志 郝宏玥 蒋洞微 王国伟 徐应强 牛智川 
Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2016YFB0402403 and 2013CB932904);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61290303 and 61306013);China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2016M601100)
In this paper,we demonstrate bias-selectable dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on In0.24Ga0.76As0.21Sb0.79 bulk materials and InAs/GaSb type-II superlattices with cutoff wavelengths of 2....
关键词：short-/mid-wavelength InGaAsSb InAs/GaSb 
1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计被引量：3
《激光与红外》2015年第5期505-508,共4页何斌太 刘国军 魏志鹏 刘超 安宁 刘鹏程 王旭 
国家自然科学基金资助项目(No.61006039;No.61370043);吉林省科技发展计划(No.20121816;No.201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(No.9140C310101120C031115)资助课题
为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变In Ga As Sb/Ga As Sb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软...
关键词：半导体激光器 InGaAsSb/GaAsSb 量子阱 有源区 
InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法被引量：2
《物理学报》2014年第24期346-351,共6页刘超 魏志鹏 安宁 何斌太 刘鹏程 刘国军 
国家自然科学基金(批准号:61076039;61204065;61205193;61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20112216120005);吉林省科技发展计划(批准号:20121816;201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号:9140C310101120C031115)资助的课题~~
讨论了计算In Ga As Sb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法,比较了它们的计算结果.将两者化成相同形式下的等价公式后发现,二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响.通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响,提出一...
关键词：INGAASSB 禁带宽度 弯曲因子 
InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱
《强激光与粒子束》2014年第11期37-42,共6页安宁 李占国 何斌太 芦鹏 方铉 魏志鹏 刘国军 
国家自然科学基金项目(61006039;61370043)
讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系。分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用。研究表明,随In组分的增加,InGaAsSb禁带宽...
关键词：InGaAsSb/GaSb 应变量子阱 能带结构 自发发射谱 
Room-Temperature Operation of 2.4 μm InGaAsSb/A1GaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density被引量：10
《Chinese Physics Letters》2014年第5期69-71,共3页邢军亮 张宇 廖永平 王娟 向伟 徐应强 王国伟 任正伟 牛智川 
Supported by the National Basic Research Program of China under Grant Nos 2013CB932904, 2012CB932701, 2011CB922201 and 2010CB327600, the National Special Funds for the Development of Major Research Equipment and Instruments under Grant No 2012YQ140005, and the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61274013, U1037602 and 61290303.
GaSb-based 2.4μm InGaAsSb/AIGaAsSb type-I quantum-well laser diode is fabricated. The laser is designed consisting of three In0.35 Ga0.65As0.1Sb0.9/Al0.35 Ga0.65 As0.02Sb0.98 quantum wells with 1% compressive strain ...
InGaAsSb量子阱的MBE生长和光致发光特性研究被引量：1
《光散射学报》2011年第4期336-339,共4页邹永刚 刘国军 马晓辉 史全林 李占国 李林 隋庆学 张志敏 
国家自然科学基金(60976038;61006039;60976056)
采用分子束外延(MBE)技术生长InGaAsSb多量子阱结构,利用光致发光光谱对材料的生长特性进行了研究。研究了衬底温度对材料激发光谱强度的影响,探索了发光波长与有源层量子阱厚度的关系。发现外延生长时衬底温度对材料的质量有重要影响;...
关键词：INGAASSB 量子阱 分子束外延 光致发光 
GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计被引量：3
《功能材料与器件学报》2008年第3期614-618,共5页刘盛 张永刚 
国家"863"计划资助项目(No.2002AA313040);国家"973"计划资助项目(No.G20000683);国家自然科学基金重点资助项目(No.60136010)
采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的...
关键词：量子阱结构 半导体激光器 带间跃迁 
Ⅱ型量子阱中红外光电子器件
《红外》2007年第12期5-5,共1页高编（译） 
本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，
关键词：光电子器件 量子阱 中红外 Ⅱ型 INGAASSB INP衬底 激活 空穴 
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