云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INP衬底

INP衬底: 作品数：29被引量：7H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：高金环刘式墉杨富华戴扬王本忠更多>>; 相关机构：中国科学院河北工业大学中国科学院微电子研究所吉林大学更多>>; 相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》《光学仪器》《红外》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划上海市青年科技启明星计划更多>>

InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究: 《电源技术》2024年第7期1375-1379,共5页张恒刘如彬张启明孙强; 基于InP衬底的GaInAsP/GaInAs太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的低带隙子电池。采用MOCVD制备了与InP衬底晶格匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)As三元材料和Ga_(0.16)In_(0.84)As_(0.3)P_(0.7)四元材料,禁带宽度分别为0.77和1.11 eV,...; 关键词：INP GAINASP GAINAS 太阳电池 MOCVD

InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计: 《物理学报》2023年第19期285-291,共7页赵华良彭红玲周旭彦张建心牛博文尚肖王天财曹澎; 国家重点研发计划(批准号:2018YFE0200900)资助的课题。; 雪崩光电二极管因其具有高的倍增被广泛应用于光通信、激光雷达等各种领域,为了适应极微弱信号探测应用场合,需要器件获得更高的增益值.当前雪崩光电二极管一般采用单载流子倍增方式工作,其倍增效果有限.本文设计了一种电子和空穴同时...; 关键词：雪崩光电二极管微弱信号双载流子倍增增益

InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文）被引量：1: 《红外与毫米波学报》2018年第6期699-703,710,共6页张见陈星佑顾溢龚谦黄卫国杜奔黄华马英杰张永刚; Supported by the National Key Research and Development Program of China(2016YFB0402400);National Natural Science Foundation of China(61775228,61675225,and 61605232);the Shanghai Rising-Star Program(17QA1404900); 利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手...; 关键词：分子束外延 INGAAS InAlAs异变缓冲层生长温度

上海微系统所研制出2.7微米InP基不含锑量子阱激光器: 《人工晶体学报》2013年第7期1256-1256,共1页; 2～3微米波段半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学检查等方面具有重要的应用。InP衬底上不含锑量子阱激光器与GaSb基含锑量子阱激光器相比具有工艺成熟稳定、热导率高、衬底价格低、质量好、易获得等优点。; 关键词：量子阱激光器含锑 INP基微系统 INP衬底微米上海半导体激光器

基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究被引量：1: 《红外与毫米波学报》2013年第2期118-121,共4页朱亚旗陈治明陆书龙季莲赵勇明谭明; 国家自然科学基金(61176128);苏州市工业支撑计划(Y1SAQ31001)~~; 采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配...; 关键词：IN0 68Ga0 32As 应力释放 InAsxP1-x

InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文): 《红外与毫米波学报》2012年第5期385-388,398,共5页王凯顾溢方祥周立李成李好斯白音张永刚; Supported by National Basic Research Program of China(2012CB619202);Founding of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Chinese Academy of Sciences and Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences; 采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A...; 关键词：化合物半导体分子束外延 InAlGaAs X射线衍射光致发光

利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层被引量：1: 《发光学报》2011年第6期612-616,共5页张铁民缪国庆傅军符运良林红; 海南省教育厅高等学校科研项目基金(Hjkj2010-21);国家自然科学基金重点项目(50632060);国家自然科学基金面上项目(50972141);海南省自然科学基金(609002);海南师范大学学科建设基金(0020303020317;HS-2-2011-070205)资助项目; 采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响。利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长...; 关键词：In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积缓冲层

基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文): 《功能材料与器件学报》2008年第5期889-894,共6页梅斌徐刚毅李爱珍李华李耀耀魏林; 高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度...; 关键词：高分辨X射线衍射 InGaAs INALAS 错向角摇摆曲线倒空间mapping

Ⅱ型量子阱中红外光电子器件: 《红外》2007年第12期5-5,共1页高编（译）; 本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，; 关键词：光电子器件量子阱中红外 Ⅱ型 INGAASSB INP衬底激活空穴

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