周立

作品数：6被引量：8H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：INP基光电探测器量子阱激光器锑缓冲层更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程航空宇航科学技术更多>>
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2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
《红外与毫米波学报》2016年第3期275-280,共6页张永刚 顾溢 陈星佑 马英杰 曹远迎 周立 奚苏萍 杜奔 李爱珍 李好斯白音 
973项目基金(2012CB619200;2014CB643900);国家自然科学基金(61275113;61204133;61405232;61334004)~~
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、...
关键词：半导体激光器 光电探测器 磷化铟基 无锑 气态源分子束外延 
FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正被引量：3
《红外与毫米波学报》2016年第1期63-67,共5页张永刚 奚苏萍 周立 顾溢 陈星佑 马英杰 杜奔 
973计划(2012CB619200;2014CB643900);国家自然科学基金(61275113;61204133;61405232;61334004)~~
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的...
关键词：发射光谱 校正 发光强度 光荧光 傅里叶变换 
FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正被引量：4
《红外与毫米波学报》2015年第6期737-743,共7页张永刚 周立 顾溢 马英杰 陈星佑 邵秀梅 龚海梅 方家熊 
973(2012CB619200;2014CB643900);国家自然科学基金(61275113;61204133;61405232;61334004)~~
针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对...
关键词：响应光谱 校正 光电探测器 量子型 傅里叶变换红外 
InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)
《红外与毫米波学报》2014年第3期213-217,共5页曹远迎 顾溢 张永刚 李耀耀 方祥 李爱珍 周立 李好斯白音 
Supported by National Basic Research Program of China(2012CB619200);National Natural Science Foundation of China(61275113and 61204133)
采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量...
关键词：数字合金 量子阱 分子束外延 
组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)
《红外与毫米波学报》2013年第6期481-485,490,共6页方祥 顾溢 张永刚 周立 王凯 李好斯白音 刘克辉 曹远迎 
National Basic Research Program of China(2012CB619202);the Founding of CAS Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors;Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,CAS
通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面...
关键词：INALAS 缓冲层 X射线衍射 光致发光 
InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)
《红外与毫米波学报》2012年第5期385-388,398,共5页王凯 顾溢 方祥 周立 李成 李好斯白音 张永刚 
Supported by National Basic Research Program of China(2012CB619202);Founding of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Chinese Academy of Sciences and Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A...
关键词：化合物半导体 分子束外延 InAlGaAs X射线衍射 光致发光 
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