云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王凯

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气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心: 《发光学报》2016年第12期1532-1537,共6页王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民; 国家自然科学基金(61176065,61205055);山东省自然科学基金(ZR2014FM011);信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目; 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.97...; 关键词：InPBi 深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文): 《红外与毫米波学报》2013年第6期481-485,490,共6页方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎; National Basic Research Program of China(2012CB619202);the Founding of CAS Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors;Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,CAS; 通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面...; 关键词：INALAS 缓冲层 X射线衍射光致发光

InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文): 《红外与毫米波学报》2012年第5期385-388,398,共5页王凯顾溢方祥周立李成李好斯白音张永刚; Supported by National Basic Research Program of China(2012CB619202);Founding of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Chinese Academy of Sciences and Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences; 采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A...; 关键词：化合物半导体分子束外延 InAlGaAs X射线衍射光致发光

采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)被引量：3: 《红外与毫米波学报》2011年第6期481-485,共5页顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚; Natural Science Foundation of Shanghai(10ZR1436300);Innovative Foundation of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology;Foundation of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors CAS; 利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs...; 关键词：光电探测器高In组分缓冲层 INGAAS INALAS

中红外半导体光源和探测器件及其应用被引量：4: 《红外与激光工程》2011年第10期1846-1850,共5页张永刚顾溢李耀耀李爱珍王凯李成李好斯白音张晓钧; 国家973计划(2006CB604903);863计划(2006AA03Z0406);国家自然科学基金(60136010;60876034;60406008;60676026); 中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs...; 关键词：中红外半导体激光器光电探测器化合物半导体分子束外延

晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)被引量：3: 《红外与毫米波学报》2010年第2期81-86,共6页顾溢李成王凯李好斯白音李耀耀张永刚; Supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60876034);973 program (No.2006CB604); 利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、...; 关键词：光电探测器缓冲层 INGAAS 晶格失配

双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究被引量：2: 《半导体光电》2009年第6期807-810,822,共5页李成李好斯白音李耀耀王凯顾溢张永刚; 国家"973"计划项目(2006CB604903);国家自然科学基金项目(60876034); 模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生...; 关键词：探测器暗电流数字递变超晶格 INGAAS

异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善被引量：3: 《红外与毫米波学报》2009年第6期405-409,共5页王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀; 973项目(2006CB604903);国家自然科学基金项目(60876034)资助; 采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶...; 关键词：数字梯度超晶格 InP缓冲层 INXGA1-XAS 位错

波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制被引量：1: 《红外与激光工程》2008年第S3期38-41,共4页张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰; 国家973部分资助项目(2006CB604903); 采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下...; 关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延

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