深中心

作品数：17被引量：3H指数：1
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商业综合体景观中文化符号和设计语言的应用——以上海市商城路海尚源深中心项目为例被引量：1
《中外建筑》2020年第6期139-140,共2页杨小舟 
城市商业空间正以飞快的速度发展,越来越多的商业综合体出现在城市的中心街区。商业空间正不断地影响着城市环境和公众的生活习惯。如何营造具备文化性和创造性的商业景观空间变得尤为重要。本文通过对上海市商城路海尚源深中心项目进...
关键词：商业空间 文化符号 设计语言 
气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
《发光学报》2016年第12期1532-1537,共6页王海龙 韦志禄 李耀耀 王凯 潘文武 吴晓燕 岳丽 李士玲 龚谦 王庶民 
国家自然科学基金(61176065,61205055);山东省自然科学基金(ZR2014FM011);信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.97...
关键词：InPBi 深中心 深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE) 
热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
《功能材料与器件学报》2000年第4期369-371,共3页张砚华 范缇文 陈延杰 吴巨 陈诺夫 王占国 
利用光致瞬态电流谱 (OpticalTransientCurrentSpectrumOTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2 、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大 ,特别ILT1 IL...
关键词：热退火 深能级中心 砷化镓 低温分子束外延 
化合物半导体
《电子科技文摘》1999年第12期9-9,共1页
利用四乙氧硅烷和 CF4的等离子增强化学汽相淀积合成出了掺氟二氧化硅薄膜,并利用施加短时高压脉冲的方法测量了其介电击穿现象。结果说明,含有较大数量氟的薄膜的介电强度较高。从各种不同观点,讨论了其原因;介绍了两种有...
关键词：等离子体增强化学汽相淀积 二氧化硅薄膜 不同观点 等离子增强 介电强度 高压脉冲 击穿现象 化合物半导体 谱测量 深中心 
Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第9期737-742,共6页王海龙 司俊杰 封松林 
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ...
关键词：硅 量子阱 应变超晶格 DLTS 外延生长 
等效深中心研究新方法—瞬态光霍耳和光电阻率谱被引量：1
《光电子．激光》1999年第4期325-327,共3页王海龙 封松林 
半导体国家重点实验室资助
考虑到深中心俘获与发射载流子对自由载流子浓度的影响而对深中心俘获过程进行了推导与讨论，发展了以瞬态光霍耳谱测量和瞬态光电阻率谱测量为基础的两套新的深能级分析测试手段，并证明了其等效性。用此方法测量样品不需做结，且对大...
关键词：瞬态光霍耳谱 瞬态光电阻率谱 俘获势垒 半导体 
分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究
《物理学报》1998年第2期286-293,共8页卢励吾 张砚华 
国家自然科学基金;中国科学院半导体材料科学开放研究实验室和香港科技大学资助的课题
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３，这表明一...
关键词：硫化锌 深中心 分子束外延生长 N型 铝掺杂 
激光物理
《中国光学》1997年第4期16-18,共3页
TN241 97042208InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为=Behaviourof deep centers in InGaAs/GaAsstrained layer quantum well lasers[刊,中]/卢励吾,封松林,周洁(中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室.北京(100083)),杨国文,...
关键词：激光物理 半导体激光器 量子阱激光器 深中心 技术研究 深能级瞬态谱 分子束外延 半导体超晶格 中科院 变换限制脉冲 
InGaAs／GaAs应变层量子阱激光器深中心行为
《Journal of Semiconductors》1996年第7期493-499,共7页卢励吾 封松林 周洁 杨国文 徐俊英 郭春伟 
国家集成光电子学联合实验室资助
应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所周知的Ｄ...
关键词：INGAAS 砷化镓 量子阱激光器 激光器 
GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
《Journal of Semiconductors》1995年第8期574-580,共7页马红 杨锡震 周洁 卢励吾 封松林 
采用结谱、光荧光等技术对Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中的光学和电学性质进行了研究．在ＧａＡｓ：Ｐｄ中观测到三个能级，分别位于导带下０．４ｅＶ、０．６０ｅＶ和价带上０．６９ｅＶ．在ＧａＡｓ：Ｚｒ中也观测到三个能级，分别位于导带...
关键词：砷化镓 钯 锆 杂质 过渡元素 
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