等效深中心研究新方法—瞬态光霍耳和光电阻率谱  

Equivalent New Analysis Methods of Deep Level the Transient Photo Hall Spectroscopy and the Transient Photo resistivity Spectroscopy

作　　者：王海龙[1] 封松林[1] 

机构地区：[1]半导体超晶格国家重点实验室

出　　处：《光电子．激光》1999年第4期325-327,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：半导体国家重点实验室资助

摘　　要：考虑到深中心俘获与发射载流子对自由载流子浓度的影响而对深中心俘获过程进行了推导与讨论，发展了以瞬态光霍耳谱测量和瞬态光电阻率谱测量为基础的两套新的深能级分析测试手段，并证明了其等效性。用此方法测量样品不需做结，且对大浓度的深中心也可不做任何修正，尤其适用于缺陷对载流子俘获机制的研究，因而弥补了深能级瞬态谱技术的不足。Two equivalent new analysis methods of deep level the transient photo Hall spectroscopy and the transient photo resistivity spectroscopy based on the photo Hall and the photo resistivity transient measurements have been developed.Considering the change of the free carrier concentration caused by emission and capture processes of the deep centers,a theoretical derivation of the formulas for this method is given.The method is very convenient to study the capture mechanism of deep centers.

关 键 词：瞬态光霍耳谱 瞬态光电阻率谱 俘获势垒 半导体 

分 类 号：O471[理学—半导体物理] TN304.01[理学—物理]