云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王庶民

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AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究: 《宁波大学学报（理工版）》2023年第3期87-93,共7页严定钰沈祥王庶民石张勇张焱超张凡; 国家自然科学基金联合项目(U21A2056);浙江省重点研发计划(2021C01025);宁波市“科技创新2025”重大专项(2020Z009)。; 采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随...; 关键词：外延再生长表面钝化 InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器湿法刻蚀

采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱: 《红外与毫米波学报》2022年第1期253-261,共9页黄卫国顾溢金宇航刘博文龚谦黄华王庶民马英杰张永刚; Supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.62075229 and 61775228);the International Science and Technology Cooperation Program of Shanghai(No.20520711200)。; 本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了Ga_(x)In_(1-x)P和GaAs_(y)P_(1-y)递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品X...; 关键词：量子阱 GaP/Si 异变缓冲层中红外

通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性: 《材料导报》2018年第6期1004-1009,共6页陈其苗宋禹忻张振普刘娟娟芦鹏飞李耀耀王庶民龚谦; 国家自然科学基金(61404153);国家自然科学基金重点项目(61334004);国家自然科学基金创新研究组项目(61321492);上海浦江人才计划(14PJ1410600);国家重点基础研究发展规划(973计划)(2014CB643902);中国科学院战略性先导专项(XDA5-1);中国科学院重点项目(KGZD-EW-804);中国科学院高迁移率材料工程国际合作与创新项目;信息功能材料重点实验室开放项目; 利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖...; 关键词：张应变Ge 量子点有限元有效质量法直接带隙

探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响: 《材料科学与工程学报》2017年第3期352-357,共6页崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB643902);国家自然科学基金关键资助项目(61334004); 为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱...; 关键词：GaAsBi 气态源分子束外延生长温度 AsH3压 Bi源温度

锗基InAs量子点激光器的腔面失效及再生的研究: 《半导体光电》2017年第1期8-11,15,共5页王亚楠李耀耀王朋曹春芳朱忠赟珅王庶民; 国家"973"计划项目(2014CB643902);国家自然科学基金项目(61334004;61404152);国家自然科学基金创新群体项目(61321492); 围绕锗基InAs量子点激光器,开展了激光器腔面失效及再生的研究。研究并分析了灾变性光学镜面损伤产生的机理及其对激光器腔面的影响,开展了腔面再生研究,发展了一套创新性的腔面再生工艺并实现了失效的锗基InAs量子点激光器的再生。根...; 关键词：激光器灾变性光学镜面损伤选择性腐蚀腔面再生

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心: 《发光学报》2016年第12期1532-1537,共6页王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民; 国家自然科学基金(61176065,61205055);山东省自然科学基金(ZR2014FM011);信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目; 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.97...; 关键词：InPBi 深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO_2周期图形（英文）: 《纳米技术与精密工程》2016年第6期395-401,共7页戚永乐张瑞英仇伯仓王逸群王庶民; funded by the National Natural Science Foundation(51202284);the Suzhou City Project(SYG201301);Jiangsu Project(BE2016083);State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences;Key Laboratory of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences; 本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO_2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件...; 关键词：图形衬底异质外延高深宽比

图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长: 《半导体技术》2015年第6期448-454,共7页戚永乐张瑞英张震王岩岩朱健孙玉润赵勇明董建荣王庶民; 国家自然科学基金资助项目(51202284);信息功能材料国家重点实验室开放课题; 使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生...; 关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延表面形貌粗糙度应力

采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较: 《材料科学与工程学报》2014年第6期787-791,802,共6页周海飞龚谦王凯康传振严进一王庶民; 国家自然科学基金资助项目(10990103);中国科学院先导专项资助项目(XDA5-1);中国科学院高迁移率材料工程国际合作与创新资助项目; 我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可...; 关键词：分子束外延 INGAP InAlP 张应变Ge

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