INGAP

作品数：67被引量：30H指数：2
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InGaPχ^((2))integrated photonics platform for broadband,ultra-efficient nonlinear conversion and entangled photon generation
《Light(Science & Applications)》2024年第12期3090-3098,共9页Joshua Akin Yunlei Zhao Yuvraj Misra A.K.M.Naziul Haque Kejie Fang 
supported by US National Science Foundation(Grant No.ECCS-2223192);NSF Quantum Leap Challenge Institute QLCI-HQAN(Grant No.2016136);U.S.Department of Energy Office of Science National Quantum Information Science Research Centers.
Nonlinear optics plays an important role in many areas of science and technology.The advance of nonlinear optics is empowered by the discovery and utilization of materials with growing optical nonlinearity.Here we dem...
关键词：NONLINEAR OPTICS COINCIDENCE 
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性被引量：3
《发光学报》2020年第8期971-976,共6页李金友 王海龙 杨锦 曹春芳 赵旭熠 于文富 龚谦 
国家自然科学基金(61674096);山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目。
研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ...
关键词：量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温 温度电压特性 
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究被引量：8
《激光与光电子学进展》2019年第13期172-176,共5页汤瑜 曹春芳 赵旭熠 杨锦 李金友 龚谦 王海龙 
国家自然科学基金(61674096)
报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为...
关键词：激光器 量子阱激光器 法布里-珀罗腔 InGaAs/GaAs/InGaP 单模 边模抑制比 
Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric
《Chinese Physics Letters》2017年第5期101-105,共5页王盛凯 马磊 常虎东 孙兵 苏玉玉 钟乐 李海鸥 金智 刘新宇 刘洪刚 
Supported by the National Science and Technology Major Project of China under Grant No 2011ZX02708-003;the National Natural Science Foundation of China under Grant No 61504165;the Opening Project of Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology of Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
Positive bias temperature instability stress induced interface trap density in a buried InGaAs channel metaloxide-semiconductor field-effect transistor with a InCaP barrier layer and Al2O3 dielectric is investigated. ...
关键词：INGAAS Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric MOSFET Al 
Growth and optical properties of InxGa1-xP nanowires synthesized by selective-area epitaxy被引量：2
《Nano Research》2017年第2期672-682,共11页Alexander Berg Philippe Caroff Naeem Shahid Mark N. Lockrey Xiaoming Yuan Magnus T. Borgstrom Hark Hoe Tan Chennupati Jagadish 
Ternary III-V nanowires （NWs） cover a wide range of wavelengths in the solar spectrum and would greatly benefit from being synthesized as position-controlled arrays for improved vertical yield, reproducibility, and ...
关键词：NANOWIRE INGAP selective-area epitaxy CATHODOLUMINESCENCE energy-dispersive X-ray spectroscopy 
采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较
《材料科学与工程学报》2014年第6期787-791,802,共6页周海飞 龚谦 王凯 康传振 严进一 王庶民 
国家自然科学基金资助项目(10990103);中国科学院先导专项资助项目(XDA5-1);中国科学院高迁移率材料工程国际合作与创新资助项目
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可...
关键词：分子束外延 INGAP InAlP 张应变Ge 
8nm基区宽度负阻双异质结晶体管的设计与研制
《纳米技术与精密工程》2014年第1期32-36,共5页郭维廉 张世林 王伊钿 毛陆虹 谢生 
国家自然科学基金资助项目(50935001;51275559);工信部科技重大专项资助项目(2011ZX04014-071)
本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE调制中性基区宽度可以改变基极电阻,从而产生微分负电阻(NDR),根据这一物理机制,设计并研制成功性能优良的...
关键词：双异质结晶体管 微分负电阻 INGAP 分子束外延 纳米级器件 
基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响
《半导体技术》2014年第2期119-123,共5页周星宝 周守利 
浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003);现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13)
基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件...
关键词：INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结 缓变基区 热电特性 
带有串联谐振支路的3.4～3.6GHz功率放大器
《微电子学与计算机》2013年第8期142-146,共5页郝明丽 王统 陈春青 张海英 
国家重大专项(2010ZX03007-002)
基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺技术,提出了一种3.4～3.6GHz功率放大器芯片电路的设计.功率放大器采用三级级联放大电路结构,其输出匹配网络设计在片外并通过PCB板实现.为了降低二次和三次谐波,在片外输出匹配网络中设计了一种串联谐振支...
关键词：3 4~3 6GHz 功率放大器 INGAP GAAS 串联谐振 
Effect of the Si-doped In_(0.49)Ga_(0.51)P barrier layer on the device performance of In_(0.4)Ga_(0.6)As MOSFETs grown on semi-insulating GaAs substrates被引量：1
《Chinese Physics B》2013年第7期463-466,共4页常虎东 孙兵 薛百清 刘桂明 赵威 王盛凯 刘洪刚 
the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2011CBA00605 and 2010CB327501);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61106095);the National Science and Technology Major Project of the Ministry of Science and Technology of China(Grant No.2011ZX02708-003)
In0.4Ga0.6As channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） with and without an Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer grown on semi-insulating GaAs substrates have been investigated for the firs...
关键词：metal–oxide–semiconductor field-effect transistor INGAAS INGAP Al2O3 
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