云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAASSB

GAASSB: 作品数：21被引量：10H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王旭刘鹏程安宁魏志鹏刘超更多>>; 相关机构：中国科学院长春理工大学浙江工业大学山东大学更多>>; 相关期刊：《红外与毫米波学报》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》《长春理工大学学报（自然科学版）》《半导体技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>

高压下GaAsSb纳米线室温光致发光特性研究: 《物理学报》2025年第6期256-263,共8页殷雪彤廖敦渊潘东王鹏刘冰冰; 国家自然科学基金(批准号:11604116,12374459);中国科学院战略重点研究项目(批准号:XDB0460000);中国科学院青年创新促进会(批准号:2017156,Y2021043)资助的课题.; 三元砷锑化镓(GaAsSb)纳米线具有直接带隙电子结构,通过调节锑含量可实现其近红外波段发光波长在870—1700 nm范围内的超宽带调谐,在近红外微纳光学器件方面具有十分重要应用前景.但由于高密度表面态的存在,砷锑化镓纳米线室温发光效率...; 关键词：砷锑化镓纳米线高压室温发光

Largely tunable infrared luminescence from GaAsSb nanowires grown on Si substrate: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2025年第2期202-202,共1页Guoqiang Zhang; Ternary GaAs_(1-x)Sb_(x)nanowires have been extensively studied due to their tunable bandgaps and lattice constants,making it a suitable material for various optical and optoelectronic applications such as infrared ph...; 关键词：NANOWIRES DIAMETERS TERNARY

Structural design of mid-infrared waveguide detectors based on InAs/GaAsSb superlattice: 《红外与毫米波学报》2024年第4期457-463,共7页PEI Jin-Di CHAI Xu-Liang WANG Yu-Peng ZHOU Yi; Supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC)(61904183,61974152,62104237,62004205);the Youth Innovation Promotion Association of the Chinese Academy of Sciences(Y202057);Shanghai Science and Technology Committee Rising-Star Program(20QA1410500);Shanghai Sail Plans(21YF1455000)。; In the realm of near-infrared spectroscopy,the detection of molecules has been achieved using on-chip waveguides and resonators.In the mid-infrared band,the integration and sensitivity of chemical sensing chips are of...; 关键词：InAs/GaAsSb superlattice waveguide detector evanescent coupling GaAsSb waveguide

GaAsSb覆盖层对InAs/GaAs量子点性能影响的模拟研究: 《中国设备工程》2022年第18期135-137,共3页张同康王建平王玉强季莲; 本文采用八带k·p模型计算了覆盖有GaAsSb的InAs/GaAs量子点的载流子能量、跃迁能量和载流子概率密度。模拟结果表明,Sb组分增加主要影响了量子点的空穴能量,并最终导致量子跃迁能量下降。当Sb组分大于0.14,由I型量子点转变为II型量子点...; 关键词：II型量子点中间带太阳电池 GaAsSb覆盖层

Electrical probing of carrier separation in InAs/InP/GaAsSb core-dualshell nanowires: 《Nano Research》2020年第4期1065-1070,共6页Sedighe Salimian Omer Arif Valentina Zannier Daniele Ercolani Francesca Rossi Zahra Sadre Momtaz Fabio Beltram Sefano Roddaro Francesco Rossella Lucia Sorba; This research activity was partially supported by the SUPERTOP project,QUANTERA ERA-NET Cofound in Quantum Technologies,and by the FET-OPEN project AndQC.; We investigate the tunnel coupling between the outer p-type GaAsSb shell and the n-type InAs core in catalyst-free InAs/lnP/GaAsSb core-dualshell nanowires.We present a device fabrication protocol based on wet-etching...; 关键词：core-dualshell nanowires charge carrier separation semiconductor nanowires nanoelectronics

发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响被引量：1: 《半导体技术》2016年第12期913-917,共5页顾磊熊德平周守利彭银生; 广东省科技计划资助项目(2015B010112002);广州市科技计划资助项目(2016201604030035); 基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能。计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上...; 关键词：InP/GaAsSb 倒置DHBT 流体动力学模型底切发射区电流阻塞效应

1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计被引量：3: 《激光与红外》2015年第5期505-508,共4页何斌太刘国军魏志鹏刘超安宁刘鹏程王旭; 国家自然科学基金资助项目(No.61006039;No.61370043);吉林省科技发展计划(No.20121816;No.201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(No.9140C310101120C031115)资助课题; 为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变In Ga As Sb/Ga As Sb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软...; 关键词：半导体激光器 InGaAsSb/GaAsSb 量子阱有源区

Growth mechanism and optical properties of InGaAs/GaAsSb Su-perlattice structures: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2015年第4期40-44,共5页JIN Chuan XU QingQing CHEN JianXin; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61176082);the National Basic Research Program of China(Grant No.2012CB619203); In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth temperatures.We simulated the incorporation difference between Sb2 and As2 by using a non-equili...; 关键词：GAASSB InGaAs/GaAsSb SUPERLATTICE PHOTOLUMINESCENCE

1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究: 《长春理工大学学报（自然科学版）》2014年第6期1-4,共4页何斌太刘国军魏志鹏安宁刘鹏程刘超王旭; 国家自然科学基金资助项目(61006039;61370043);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115); 设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs...; 关键词：GaAsSb/GaAs 量子阱垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率

基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 《半导体技术》2014年第2期119-123,共5页周星宝周守利; 浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003);现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13); 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件...; 关键词：INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结缓变基区热电特性

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