熊德平

作品数：17被引量：30H指数：3
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发文主题：负极材料复合材料LED芯片基板控制系统更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《光电子技术》《红外与激光工程》《集成电路应用》更多>>
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高次谐波锁模飞秒掺镱光纤激光器的噪声情况被引量：2
《红外与激光工程》2022年第8期166-172,共7页柏汉泽 钟艺峰 任炽明 黄俊杰 田劲东 熊德平 孙敬华 
广东省基础与应用基础研究基金区域联合基金重点项目(2020 B1515120041);广东省普通高校省级重大科研项目(2018 KZDXM067)。
高重复频率的飞秒激光在高速激光测距和三维成像等领域有着非常重要的作用。其中基于飞秒光纤激光器的高次谐波锁模是获得GHz量级以上高重复频率脉冲的重要手段之一。基于含腔内光栅对色散补偿的非线性偏振旋转(NPR)锁模的掺镱(Yb)光纤...
关键词：高次谐波锁模 飞秒掺镱光纤激光器 脉冲重复频率 时间抖动 相位噪声 
基于ROS的ICP-SLAM在嵌入式移动机器人上的实现与优化被引量：6
《计算机应用研究》2019年第5期1437-1440,共4页郑富瑜 何苗 张辉 赵韦人 熊德平 梁安辉 王成民 王润 周海亮 
中山市科技计划项目(2017A1008);国家自然科学基金资助项目(61875187);广州市科技计划资助项目(2016201604030035);广东省科技计划项目(2015B010112002)
基于激光雷达的ICP-SLAM在机器人操作系统中无法直接运行,且通过PC实现算法时,没有高效运载计算机资源,产生资源浪费,同时降低了移动机器人系统的灵活性。通过在嵌入式系统中搭建机器人操作系统,在系统中移植MRPT函数库中的ICP-SLAM算法...
关键词：ICP-SLAM ROS 移动机器人 嵌入式系统 
X波段下产生涡旋电磁波的阵列天线设计被引量：3
《无线电工程》2019年第3期238-243,共6页顾磊 顾易帆 熊德平 周守利 
2017年浙江省人力资源和社会保障科学研究基金资助项目(2017119);广州市科技计划资助项目(2016201604030035)
随着无线通信应用的飞速发展,频谱资源日益紧张,射频频谱资源已日趋香农极限。为解决这个问题,无线通信中引入了携有轨道角动量(Orbital Angular Momentum,OAM)的涡旋电磁波,以有效提高频谱利用率。微带天线阵技术是产生涡旋电磁波常用...
关键词：矩形微带天线 环形微带阵列 轨道角动量 
基于无线供电全植入式光遗传系统及优化被引量：1
《电子设计工程》2019年第3期26-30,35,共6页周俊楠 何苗 熊德平 
广东省科技计划项目(2014B050505020;2015B010114007;2014B090904045;2015B010112002);广州市科技计划项目(201604016095;2016201604030027;2016201604030035)
为解决光遗传学系统体积大,传输效率低,使用局限性大的问题,通过变量分析的方法,设计了一种基于无线供电的光遗传系统优化方案。该方案具有功耗低,结构简单,响应速度快,效率高且光强输出稳定的优点。仿真及实验结果表明:在两线圈距离为1...
关键词：无线供电 光遗传系统 全植入式 系统优化 
发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响被引量：1
《半导体技术》2016年第12期913-917,共5页顾磊 熊德平 周守利 彭银生 
广东省科技计划资助项目(2015B010112002);广州市科技计划资助项目(2016201604030035)
基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能。计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上...
关键词：InP/GaAsSb 倒置DHBT 流体动力学模型 底切发射区 电流阻塞效应 
低功耗单片低噪声放大器芯片被引量：5
《浙江工业大学学报》2016年第6期624-627,共4页周守利 俞俊学 陈伟 熊德平 
广东省重大科技计划资助项目(2015B010112002);广州市科技计划项目(201504290917571)
基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯...
关键词：低噪声放大器 电流复用 低功耗 有源偏置 鲁棒性 
倒置的InGaP/GaAs HBT与常规的InGaP/GaAs HBT器件性能比较分析
《集成电路应用》2016年第11期25-27,共3页顾磊 熊德平 周守利 彭银生 
国家自然科学基金资助项目(61205121);广东省科技计划资助项目(2015B010112002);广州市科技计划资助项目(2016201604030035)
基于热场发射-扩散模型,研究两相同器件结构的常规和倒置InGaP/GaAs HBT器件的性能差异。结论表明:倒置InGaP/GaAs HBT具有更好的开启电压和高频特性,而常规的InGaP/GaAs HBT具有更高的直流增益和更大的直流电流输出。
关键词：INGAP/GAAS 倒置HBT 直流特性 高频特性 
GaAS/Si(100)异质外延4°偏角衬底对外延层结晶质量的提高(英文)被引量：1
《功能材料与器件学报》2010年第3期201-205,共5页熊德平 罗莉 雷亮 陈志新 
the Natural Science Foundation of China(Grant No.10774031);the Guangdong Provincial Natural Science Foundation(07001790)
用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法,并分别优化了两种衬底上的非晶低温缓冲层的生长条件。用X射线双晶衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对两种衬底上...
关键词：GaAs/Si异质结 X射线衍射(XRD) 透射电子显微镜(TEM) 
考虑瞬态效应的缓变结HBT性能分析
《半导体技术》2010年第1期43-45,共3页熊德平 周守利 罗莉 唐新桂 王银海 
国家自然科学基金资助项目(10774031);广东省自然科学基金资助项目(07001790)
在包含晶格加热和非本地传输的瞬态效应过程下,漂移-扩散模型(DD)不再有效,需采用更精确的非等温能量平衡(NEB)模型。NEB模型的计算结果表明,对于基区厚度处于DD模型向全量子输运模型过渡的缓变结HBT而言,晶格加热和非本地传输所起的作...
关键词：缓变结异质结双极晶体管 晶格加热 非本地传输 非等温能量平衡 
GaAs衬底上InP的直接外延生长及性能表征
《光电子技术》2009年第2期122-124,共3页熊德平 周守利 
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。1.2μm InP(004)面X射线衍射(XRD)ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga0...
关键词：异质外延 低温缓冲层 应变超晶格 金属有机物气相外延 
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