云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAP/GAAS

INGAP/GAAS: 作品数：44被引量：35H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：吴德馨刘新宇齐鸣徐安怀郑丽萍更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所广东工业大学杭州电子科技大学更多>>; 相关期刊：《人工晶体学报》《太阳能学报》《微波学报》《中国学术期刊文摘》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>

空间倒置InGaP/GaAs/In0.3Ga0.7As/In0.58Ga0.42As四结太阳结构参数对电池性能机理研究: 《材料科学》2025年第2期221-226,共6页刘雯; 本文使用计算机软件模拟了倒置四结电池,通过改变子电池的工作区厚度以及掺杂浓度等结构参数,探究其对电学特性的影响。改变InGaP等子电池发射区参数时,短波波长的光子受影响。改变基区参数时,影响长波长光子的吸收效率。随着四结倒置...; 关键词：四结倒置太阳电池计算机仿真电学性能

InGaP/GaAs/InGaAs倒装结构三结太阳电池的辐照损伤仿真分析被引量：2: 《航天器环境工程》2022年第6期562-568,共7页王彪方美华陆宏波周宏涛陈建飞梁筝魏志勇; 国家自然科学基金青年基金项目“晶格失配高效多结III-V族太阳能电池在空间捕获辐射条件下的性能衰减研究”(编号:11405085)。; 为了保证倒装结构三结电池在空间辐射环境中使用的可靠性,揭示倒装工艺引入位错缺陷对电池辐射衰减的影响,文章基于泊松方程和载流子传输方程建立了倒装结构InGaP/GaAs/InGaAs三结太阳电池的物理模型,在地面等效实验验证的基础上,研究...; 关键词：倒装结构三结太阳电池性能衰减位错缺陷少数载流子寿命

InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2022年第3期184-190,219,共8页刘涛刘燚王冯涛; 云南省基础研究项目(210301004);国家级大学生创新创业训练重点项目(20200108Z)。; 应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P...; 关键词：双异质结双极晶体管(DHBT) InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP 渐变材料梯度掺杂

电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响被引量：1: 《半导体技术》2020年第3期219-223,243,共6页李碧媛张永宏魏育才徐智文蔡松智周必顺; 制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和...; 关键词：ICP刻蚀台面形貌 Cl2/N2 INGAP/GAAS 台阶覆盖

L波段5W InGaP/GaAsHBT功率放大器: 《电子制作》2018年第7期14-16,56,共4页游恒果蔡道民; InGaP/GaAs HBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器,本文基于自主HBT工艺技术,借助GaAs MMIC和辅助PCB板外匹配架构,通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构,实现高性能的终端放大器。在...; 关键词：功率放大器异质结晶体管片外匹配线性附件效率

倒置的InGaP/GaAs HBT与常规的InGaP/GaAs HBT器件性能比较分析: 《集成电路应用》2016年第11期25-27,共3页顾磊熊德平周守利彭银生; 国家自然科学基金资助项目(61205121);广东省科技计划资助项目(2015B010112002);广州市科技计划资助项目(2016201604030035); 基于热场发射-扩散模型,研究两相同器件结构的常规和倒置InGaP/GaAs HBT器件的性能差异。结论表明:倒置InGaP/GaAs HBT具有更好的开启电压和高频特性,而常规的InGaP/GaAs HBT具有更高的直流增益和更大的直流电流输出。; 关键词：INGAP/GAAS 倒置HBT 直流特性高频特性

A Ku-band wide-tuning-range high-output-power VCO in InGaP/GaAs HBT technology被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2015年第6期156-160,共5页张金灿张玉明吕红亮张义门刘博张雷鸣向菲; Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CBxxxx05);the Advance Research Project of China(No.51308xxxx06);the Advance Research Foundation of China(No.9140A08xxxx11DZ111);Doctoral Scientific Research Foundation of Henan University of Science and Technology(No.400613480011);the Foundation of He’nan Educational Commettee(No.15A510001); A fully integrated Ku-band voltage controlled oscillator （VCO） is presented in an InGaP/GaAs hetero- junction bipolar transistor （HBT） technology. To achieve the wide tuning range （TR）, the VCO employs a Colpitt...; 关键词：voltage controlled oscillator InGaP/GaAs HBT Ku band wide tuning range high output power

高效率高谐波抑制功率放大器的设计被引量：9: 《电子技术应用》2015年第4期60-62,68,共4页陈思弟郑耀华章国豪; 介绍了一种对功率放大器高次谐波处理的方法 ,该方法通过在输出低通匹配网络中引入多个LC谐振网络来对功率放大器产生的谐波能量进行回收,抑制了负载处的谐波分量,同时也提高了功放的效率。利用该方法采用In Ga P/Ga As HBT工艺设计了...; 关键词：功率放大器效率谐波抑制 INGAP/GAAS HBT

A broadband regenerative frequency divider in InGaP/GaAs HBT technology被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2014年第7期139-142,共4页张金灿张玉明吕红亮张义门刘敏钟英辉师政; supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CBxxxx05);the Advance Research Project of China(No.51308xxxx06);the Advance Research Foundation of China(No.9140A08xxxx11DZ111); A dynamic divide-by-two regenerative GaP/GaAs heterojunction bipolar transistors （HBTs） frequency divider （RFD） is presented in a 60-GHz-fT Intechnology. To achieve high operation bandwidth, active loads instead o...; 关键词：regenerative frequency divider InGaP/GaAs HBT active loads BROADBAND

基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响被引量：1: 《微纳电子技术》2012年第2期78-82,133,共6页余曙芬陈延湖李惠军冯尚功郭琪; 山东省自然科学基金资助项目(ZR2010FQ012);国家自然科学基金资助项目(60806023); 研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理...; 关键词：INGAP/GAAS HBT 基区设计热稳定性电流增益崩塌热电反馈系数集电极电流理想因子热阻

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