金属有机物气相外延

作品数：5被引量：4H指数：1
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相关机构：中国科学院中国科学院合肥物质科学研究院北京大学河北工业大学更多>>
相关期刊：《光电子技术》《Journal of Semiconductors》《现代材料动态》《真空电子技术》更多>>
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GaAs衬底上InP的直接外延生长及性能表征
《光电子技术》2009年第2期122-124,共3页熊德平 周守利 
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。1.2μm InP(004)面X射线衍射(XRD)ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga0...
关键词：异质外延 低温缓冲层 应变超晶格 金属有机物气相外延 
GaN基蓝光LED关键技术进展被引量：4
《真空电子技术》2008年第3期34-37,共4页刘一兵 
以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击,并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,...
关键词：GAN 蓝光LED 金属有机物气相外延 P型掺杂 欧姆接触 刻蚀 切割 
用MOVPE技术生产明天的太阳能电力
《现代材料动态》2008年第2期1-2,共2页邓志杰（摘译） 
开发高性能化合物半导体太阳电池的兴趣在不断增长。三结GaInP／Ga（h）As／Ge电池的转换效率已达到39％。许多公司正在研制与这些电池配套使用的聚光器系统。本文从研究者利用MOVPE（金属有机物气相外延）技术生长其它化合物半导体器...
关键词：MOVPE技术 太阳能 化合物半导体 金属有机物气相外延 太阳电池 电力 生产 转换效率 
蓝宝石上横向外延GaN薄膜
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期33-36,共4页张帷 郝秋艳 景微娜 刘彩池 冯玉春 
世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金(批准号:E2005000042)资助项目Project supported by the Program for New Century Excellent Talents in University and the Natural Science Foundation of Hebei Province (NO.E2005000042)
在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低...
关键词：GAN 横向外延 金属有机物气相外延 (0001)蓝宝石衬底 
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
《Journal of Semiconductors》2002年第8期881-885,共5页沈晓明 张秀兰 孙元平 赵德刚 冯淦 张宝顺 张泽洪 冯志宏 杨辉 
国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116 195 3;N-HKU0 2 8/0 0 )资助项目~~
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c-...
关键词：MOVPE 光辅助湿法 金属有机物气相外延 立方相 六方相 氮化镓 腐蚀工艺 
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