张帷

作品数：6被引量：10H指数：2
导出分析报告
供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：GAN薄膜GAN蓝宝石衬底MOCVD缓冲层更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《液晶与显示》《中国科技信息》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展
《中国科技信息》2008年第1期285-285,共1页张帷 刘彩池 郝秋艳 
基金项目：教育部新世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金（E2005000042）
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广泛的应用，降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键，也是人们始...
关键词：GAN薄膜 生长技术 制备 化合物半导体 Ⅲ族氮化物 化学性质 缺陷密度 宽禁带 
选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展被引量：5
《半导体技术》2007年第2期93-96,共4页张帷 刘彩池 郝秋艳 
教育部新世纪优秀人才支持计划;河北省自然科学基金(E2005000042)
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用。降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致...
关键词：氮化镓 外延 横向过生长 悬挂式外延生长 
蓝宝石上横向外延GaN薄膜
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期33-36,共4页张帷 郝秋艳 景微娜 刘彩池 冯玉春 
世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金(批准号:E2005000042)资助项目Project supported by the Program for New Century Excellent Talents in University and the Natural Science Foundation of Hebei Province (NO.E2005000042)
在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低...
关键词：GAN 横向外延 金属有机物气相外延 (0001)蓝宝石衬底 
原子力显微镜在GaN研究中的应用被引量：1
《现代仪器》2006年第4期25-27,共3页王其民 赵丽伟 滕晓云 张帷 刘彩池 
教育部新世纪优秀人才计划;河北省自然科学基金项目(E2005000042)
本文采用原子力显微镜(AFM)对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究。实验结果表明,GaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹出现;厚度为0.4μm的GaN表面出现小坑———V缺陷,密度约为108cm-2。
关键词：原子力显微镜 GAN 表面形貌 V缺陷 
Si衬底GaN基材料及器件的研究被引量：3
《半导体技术》2006年第2期98-101,107,共5页滕晓云 刘彩池 郝秋艳 赵丽伟 张帷 
教育部新世纪优秀人才支持计划河北省自然科学基金资助项目(E2005000042)
GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的...
关键词：GAN SI衬底 外延生长 
金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1
《液晶与显示》2006年第1期38-42,共5页赵丽伟 滕晓云 郝秋艳 朱军山 张帷 刘彩池 
教育部新世纪优秀人才支持计划;河北省自然科学基金资助项目(No.E2005000042)
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质...
关键词：GAN V缺陷 湿法化学腐蚀 六角腐蚀坑 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部