云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 缺陷密度

缺陷密度: 作品数：125被引量：120H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：李国强杨为家林云昊王文樑刘作莲更多>>; 相关机构：中国科学院华南理工大学国际商业机器公司MEMC电子材料有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划辽宁省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>

电流辅助硅钢成形中微观组织变化对变形抗力影响的研究: 《精密成形工程》2025年第1期144-152,共9页叶奔蒋保涛张蓓胡锋李立新; 国家自然科学基金(U20A20279);武汉软件工程职业学院(武汉开放大学)科研启动经费(KYQDJF2024001)。; 目的探究电流辅助硅钢成形中微观组织变化对硅钢变形抗力的影响。方法设计了不同变形条件下的电流辅助拉伸实验及静态电流对比实验,然后对样品进行电子背散射衍射(EBSD)测试,分析并研究电流辅助拉伸成形对Fe-0.5%(质量分数)Si无取向硅...; 关键词：硅钢电流辅助成形变形抗力晶界曲率缺陷密度

基于激光加工的横向外延单晶金刚石缺陷密度调控研究: 《真空电子技术》2024年第5期1-8,共8页文东岳刘本建赵继文郝晓斌张森张宇民代兵李一村朱嘉琦; 哈工大原创前沿探索基金(HIT.OCEF.2022048);郑州市重大科技专项项目(2021KJZX0062);河南省重大科技专项项目(221100230300);自然科学基金(52072087,52102039);国家重点研发计划(2020YFA0709700);国家磁约束核聚变能发展研究专项(2019YFE03100200);广东省重点领域研发计划项目(2020B010169002)。; 单晶金刚石是一种具有众多优良性能的晶体材料,被誉为终极半导体,随着5G和大数据时代的到来,高质量单晶金刚石成为了当代炙手可热的半导体材料。然而目前市面上的单晶金刚石存在着缺陷密度高,晶体质量差的问题,严重制约了单晶金刚石在...; 关键词：金刚石缺陷密度激光加工横向外延

太赫兹GaN SBD外延材料的应力调控及低缺陷密度控制技术研究: 《固体电子学研究与进展》2024年第5期425-429,共5页李传皓李忠辉彭大青王克超杨乾坤张东国; 采用金属有机物化学气相沉积(Metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在101.6 mm(4英寸)半绝缘SiC衬底上开展太赫兹用GaN肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)外延材料应力演进及缺陷密度控制的研究。提出了一种...; 关键词：氮化镓外延材料太赫兹应力调控低缺陷密度

8英寸SiC晶圆制备与外延应用被引量：1: 《人工晶体学报》2024年第10期1712-1719,共8页韩景瑞李锡光李咏梅王垚浩张清纯李达施建新闫鸿磊韩跃斌丁雄杰; 江苏省重大科技成果转化项目(BA2022082)。; 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一,近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升,其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6英寸(1英寸=25.4 mm)晶圆为主,但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸SiC晶圆...; 关键词：碳化硅 8英寸晶圆外延缺陷密度掺杂均匀性

平衡三阳离子钙钛矿中带隙和电荷传输以实现高效的室内光伏: 《Science China Materials》2024年第8期2611-2617,共7页唐颖张祖宏刘海瑞马哈茂德・侯赛因・阿尔达马西穆罕默德・比拉尔杨枫杨纪恩秦朝朝杨勇刚李哲刘玉芳李萌; the support of all the technicians at Henan Normal University and Henan University;supported by Zhongyuan Scholar of Henan Province(224000510007);the National Natural Science Foundation of China(11974103)for funding;the financial support from the AXA research fund;the funding from Henan Province College Youth Backbone Teacher Project(2020GGJS062)。; 带隙可调的钙钛矿材料在室内光伏(IPVs)领域具有广阔的应用前景.然而,与室内光相匹配的宽带隙钙钛矿通常导电性较差,缺陷密度较高,往往不利于电荷提取和传输,限制了其光伏特性.在这里,我们通过调节Br/I比,探究了不同带隙三阳离子钙钛矿...; 关键词：缺陷密度电荷传输光伏特性钙钛矿最佳效率光伏材料短路电流密度填充因子

科技快讯: 《环球财经》2024年第6期13-13,共1页; 我国科学家成功构建钙钛矿同质结中国科学技术大学微电子学院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展。课题组针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严重、缺陷密度高、非辐射复合损失大等问题,成功构建钙钛矿同质...; 关键词：钙钛矿太阳能电池同质结光生载流子中国科学技术大学缺陷密度非辐射复合自掺杂光电器件

科技简讯: 《有色金属材料与工程》2024年第3期106-106,共1页; 新策略可提升无铅钙钛矿太阳能电池转换效率2024年5月13日,从中国科学技术大学获悉,该校微电子学院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展。课题组针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严重、缺陷密度高、非辐...; 关键词：钙钛矿太阳能电池转换效率同质结中国科学技术大学光生载流子缺陷密度非辐射复合自掺杂

乙酸钾修饰界面用于高效稳定的钙钛矿太阳电池: 《太阳能学报》2024年第4期51-58,共8页户立文胡隆生杨亿凡李国龙; 基于石墨烯Fabry-Perrot腔结构的太赫兹光电探测器研发(2020BDE03013)。; 使用乙酸钾(KAc)修饰电子传输层,正置结构的SnO_(2)/perovskite界面使用其具有的羧基和碱金属阳离子调节能级。研究发现,KAc薄膜的引入会对钙钛矿薄膜产生一定的表面陷阱钝化作用,表现出非辐射复合的减少以及体内和界面电荷复合的抑制...; 关键词：钙钛矿太阳电池结晶度缺陷密度乙酸钾

2023年粉体行业大盘点●第三代半导体: 《中国粉体工业》2023年第6期15-17,21,共4页; 产业政策河北省科技厅:将碳化硅衬底等列入重点研发项目!2023年,10月,河北省科学科技厅对2023年新一代电子信息和新能源领域拟立项重点研发计划项目予以公示。其中“低缺陷密度8英寸碳化硅单晶衬底制备技术及应用示范”和“碳化硅功率...; 关键词：碳化硅功率器件陶瓷封装电子信息缺陷密度河北省科技厅研发计划产业政策碳化硅衬底

Sn基CH_(3)NH_(3)SnI_(3)钙钛矿太阳能电池性能计算与优化被引量：2: 《人工晶体学报》2023年第11期2076-2084,共9页王传坤陆成伟欧阳雨洁张胜军郝艳玲; 兴义民族师范学院科研项目(21XYZD09,21XYZJ05,19XYJS05);黔西南州科技局科技计划(2021-2-37);贵州省教育厅拔尖人才项目(黔科教[2022]094);大学生创新创业训练课题(202210666116);兴义民族师范学院博士科研基金(23XYBS17)。; Sn基钙钛矿材料因其无毒、较宽带隙和热稳定性成为太阳能电池研究领域的热点。本文利用SCAPS-1D软件构建了结构为FTO/TiO_(2)/CH_(3)NH_(3)SnI 3/Spiro-OMeTAD/Ag钙钛矿太阳能电池并对其相关性能进行了数值计算。研究了钙钛矿光吸收层...; 关键词：钙钛矿太阳能电池吸收层界面层缺陷密度光电转换效率数值模拟 CH_(3)NH_(3)SnI_(3)

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