选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展  

The Development of the Study on Selectively Growth of GaN

作　　者：张帷[1] 刘彩池[1] 郝秋艳[1] 

机构地区：[1]河北工业大学材料学院,天津300130

出　　处：《中国科技信息》2008年第1期285-285,共1页China Science and Technology Information

基　　金：基金项目：教育部新世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金（E2005000042）

摘　　要：Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广泛的应用，降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键，也是人们始终致力于研究的内容，本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法，原理，进展情况进行了介绍。

关 键 词：GAN薄膜 生长技术 制备 化合物半导体 Ⅲ族氮化物 化学性质 缺陷密度 宽禁带 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]