蓝宝石上横向外延GaN薄膜  

Epitaxial Lateral Overgrowth of Gallium Nitride on Sapphire

作　　者：张帷[1,2] 郝秋艳[1] 景微娜[1,2] 刘彩池[1] 冯玉春[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130 [2]深圳大学光电研究所,广东光电子器件与系统省重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳518060

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期33-36,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金(批准号:E2005000042)资助项目Project supported by the Program for New Century Excellent Talents in University and the Natural Science Foundation of Hebei Province (NO.E2005000042)

摘　　要：在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.

关 键 词：GAN 横向外延 金属有机物气相外延 (0001)蓝宝石衬底 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]