云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 冯志宏

冯志宏: 作品数：13被引量：16H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：GAN立方相氮化镓MOCVD立方相GAN更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《发光学报》《Journal of Semiconductors》《广西大学学报（自然科学版）》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2003年第3期279-283,共5页张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7);NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116 195 3;N_HKU0 2 8/ 0 0 )资助项目~~; 在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改...; 关键词：GAN PT 肖特基接触退火 MOVPE

立方相GaN的持续光电导被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2003年第1期34-38,共5页张泽洪赵德刚孙元平冯志宏沈晓明张宝顺冯淦郑新和杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (Nos.5 0 0 116195 3 ;N HKU 0 2 8/ 0 0 )资助项目~~; 研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与...; 关键词：立方相 GAN 持续光电导空间载流子分离势垒限制复合氮化镓

用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2002年第10期1093-1097,共5页沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 ( 5 0 0 116 195 3;NHKU0 2 8/ 0 0 )资助项目~~; 尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生...; 关键词：层错密度立方相GAN 侧向外延 SEM TEM ELOG 扫描电子显微镜透射电子显微镜

GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2002年第9期1001-1005,共5页孙元平张泽洪赵德刚冯志宏付羿张书明杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116195 3 ;N-H KU 0 2 8/0 0 )资助项目~~; 利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键...; 关键词：发光二极管立方相GAN 晶片键合工艺设计 GAAS衬底

GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较: 《Journal of Semiconductors》2002年第8期881-885,共5页沈晓明张秀兰孙元平赵德刚冯淦张宝顺张泽洪冯志宏杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116 195 3;N-HKU0 2 8/0 0 )资助项目~~; 研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c-...; 关键词：MOVPE 光辅助湿法金属有机物气相外延立方相六方相氮化镓腐蚀工艺

Etching Behavior of GaN/GaAs(001) Epilayers Grown by MOVPE: 《Journal of Semiconductors》2002年第7期707-712,共6页沈晓明冯志宏冯淦付羿张宝顺孙元平张泽洪杨辉; 国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116 195 3;N HKU0 2 8/0 0 )资助项目~~; Wet etching characteristics of cubic GaN (c GaN) thin films grown on GaAs(001) by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) are investigated.The samples are etched in HCl,H 3PO 4,KOH aqueous solutions,and molten KOH...; 关键词：cubic GaN MOVPE wet etching asymmetry

立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性: 《广西大学学报（自然科学版）》2002年第3期252-255,共4页沈晓明渠波冯志宏杨辉; 国家杰出青年科学基金 (6982 5 1 0 7);NSFC-RGC联合基金(5 0 0 1 1 61 95 3;N- HKU0 2 8/ 0 0 ); 通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层中的缺陷结构进行了观察和分析 .结果表明 ,在立方 Ga N/Ga As(0 0 1 )外延层中存在很高密度的堆垛层错 ...; 关键词：外延层立方相GAN 透射电子显微镜堆垛层错非对称性半导体材料氮化钙缺陷结构

GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术被引量：3: 《中国科学（E辑）》2002年第5期584-589,共6页孙元平付羿渠波王玉田冯志宏赵德刚郑新和段俐宏李秉臣张书明杨辉姜晓明郑文莉贾全杰; 国家"八六三"计划基金;国家杰出青年基金;国家自然科学基金-RGC联合基金资助项目; 利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD...; 关键词：GAN 晶片键合技术立方相衬底去除砷化镓氮化镓半导体

立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长: 《Journal of Semiconductors》2002年第2期161-164,共4页冯志宏杨辉徐大鹏赵德刚王海段俐宏; 国家自然科学基金资助项目~~; 利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生...; 关键词：MOCVD 立方相砷化镓铝镓氮外延生长

Growth of Cubic GaN by MOCVD at High Temperature: 《Journal of Semiconductors》2002年第2期120-123,共4页付羿孙元平沈晓明李顺峰冯志宏段俐宏王海杨辉; 国家自然科学基金资助项目~~; High quality cubic GaN (c GaN) is grown by metalorganic vapor deposition (MOCVD) at an increased growth temperature of 900℃,with the growth rate of 1 6μm/h.The full width at half maximum (FWHM) of room temperature...; 关键词：CUBIC GAN MOCVD

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