GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现  

Design of High Brightness Cubic-GaN LED Grown on GaAs Substrate

作　　者：孙元平[1] 张泽洪[1] 赵德刚[1] 冯志宏[1] 付羿[1] 张书明[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第9期1001-1005,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116195 3 ;N-H KU 0 2 8/0 0 )资助项目~~

摘　　要：利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键合方法实现的以 Ni/ Ag/ Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的 Ga N/ Ga As样品的光反射率在理论计算的 4 5 9.2 nm处提高了 2 .4倍 .The feasibility of improving the light extraction efficiency of GaN/GaAs optical devices by using wafer bonding technique is calculated by the principles of optical thin films.The light extraction efficiency can be improved by 2 65 times when a thin Ni layer is used as an adhesive layer and Ag layer as a reflective layer.Experimental results show that the reflectivity at 459 2nm of the bonded samples is improved by 2 4 times than the as grown samples.

关 键 词：发光二极管 立方相GAN 晶片键合 工艺设计 GAAS衬底 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学] TN304.23