晶片键合

作品数：40被引量：53H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：任晓敏黄永清黄辉陈良惠张俊更多>>
相关机构：北京邮电大学中国科学院中北大学三星电子株式会社更多>>
相关期刊：《微电子学》《南京大学学报（自然科学版）》《半导体技术》《光子学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
济南晶正电子科技有限公司
《人工晶体学报》2021年第4期715-715,共1页
济南晶正电子科技有限公司成立于2010年,位于济南章锦综合保税区,是一家致力于纳微米级厚度光电、压电单晶薄膜材料研发、生产及销售的高新技术企业。在国家、省、市各部门大力支持下,依靠山东大学多年的理论和实验积累,研发团队成功突...
关键词：技术专利 铌酸锂单晶 薄膜材料 压电单晶 综合保税区 晶片键合 离子注入 自主知识产权 
表面有微结构的硅片键合技术被引量：2
《传感器与微系统》2019年第6期56-58,共3页张栋鹏 蔡安江 周嘉玮 翟彦昭 
针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺,以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量,以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保...
关键词：晶片键合 带有微结构硅晶圆 共晶键合 
完全无银的高亮度红色LED
《今日电子》2018年第7期59-59,共1页
ROHM面向汽车领域开发出业界首款完全无银的高亮度红色LEDSML-Y18U2T,非常有助于汽车刹车灯等在严酷环境下使用的应用的可靠性高提升。此次开发的产品是用金等其他材料取代了以往晶片键合焊膏及框架所使用的银,实现了完全无银化。此举...
关键词：高亮度 LED 银 晶片键合 硫化性能 亮度衰减 生产体制 可靠性 
基于湿法表面活化处理的InP/SOI晶片键合技术
《半导体光电》2018年第1期57-60,共4页宫可玮 孙长征 熊兵 
国家"973"计划项目(2014CB340002);国家"863"计划项目(2015AA017101)
为了实现集成硅基光源,研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术。采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理,同时采用Piranha溶液对SOI晶片进行表面活化处理,实现了二者的低温直接键合。分别采用刀片嵌入法和划痕测试仪对样品...
关键词：晶片键合 表面处理 键合强度 键合缺陷 
基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究
《半导体光电》2017年第6期810-812,817,共4页宫可玮 孙长征 熊兵 
国家"973"计划项目(2014CB340002);国家"863"计划项目(2015AA017101)
研究了基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al_2O_3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理。原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶...
关键词：晶片键合 等离子表面处理 键合中间层 
智能剥离制备GOI材料被引量：3
《南京大学学报（自然科学版）》2017年第3期441-449,共9页赖淑妹 毛丹枫 陈松岩 李成 黄巍 汤丁亮 
国家重点自然科学基金(61534005);国家自然科学基金(61474081);国家重点基础研究计划(973计划)(2013CB632103)
绝缘体上锗(Germanium-on-Insulator,GOI)结合了Ge材料及SOI(Silicon-on-Insulator)结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独特的全介质隔离结构可以避免短沟道效应,降低寄生电容和结...
关键词：晶片键合 智能剥离 绝缘体上锗(GOI) 退火 腐蚀 半高宽 
晶片键合技术及其在微电子学中的应用
《中国科技期刊数据库 科研》2016年第2期00076-00076,共1页陈青青 
随着科学技术的不断进步,晶片键合技术得到了广泛的应用,而且也发挥出了日益显著的作用。基于此,首先晶片键合的基本原理和要求进行了分析,接着又详细的介绍了该技术在微电子学领域的具体应用,希望对相关工作能够提供一定的借鉴和帮助。
关键词：晶片键合 微电子 应用 
晶片键合技术实现器件新发展
《半导体信息》2015年第3期35-35,共1页科发 
硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置成本过高等。基于不同材料可在等离子体激活条件下直接键合这...
关键词：化合物半导体 外延生长 键合技术 生长界面 直接键合 缺陷密度 集成方式 购置成本 沉积速率 
介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器被引量：1
《激光与光电子学进展》2014年第11期88-93,共6页杨跃德 隋少帅 唐明英 肖金龙 杜云 黄永箴 
国家863计划(2012AA012202);国家自然科学基金(61061160502)
硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅...
关键词：半导体激光器 晶片键合 III-V/硅基混合集成 金属限制 
GaN基LED与Si键合技术的研究被引量：1
《光电子．激光》2010年第8期1202-1205,共4页阮育娇 张小英 陈松岩 李成 赖虹凯 汤丁亮 
国家自然科学基金重点基金资助项目(60837001);福建省自然科学基金资助项目(2008J0221);福建省教育厅科技项目(JB08215)
采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现...
关键词：晶片键合 金属过渡层 激光剥离 GAN基LED 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部