隋少帅

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：金属谐振腔微腔激光器半导体激光器硅基更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器被引量：1
《激光与光电子学进展》2014年第11期88-93,共6页杨跃德 隋少帅 唐明英 肖金龙 杜云 黄永箴 
国家863计划(2012AA012202);国家自然科学基金(61061160502)
硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅...
关键词：半导体激光器 晶片键合 III-V/硅基混合集成 金属限制 
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