直接键合

作品数：154被引量：269H指数：8
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薄界面异质异构晶圆键合技术研究现状及趋势
《材料导报》2024年第24期36-49,共14页王成君 杨晓东 张辉 周幸叶 戴家赟 李早阳 段晋胜 乔丽 王广来 
国家重点研发计划(2022YFB3404300);科工局基础科研项目(JCKY2019210A002)。
半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低...
关键词：晶圆键合 超薄界面 异质异构 直接键合 金刚石基氮化镓微波功率器件 
硅/硅低温直接键合的工艺调控及应用
《传感技术学报》2024年第10期1674-1680,共7页李东玲 兰芬芬 崔笑寒 
国家自然科学基金项目(61804016);成都市重点研发支撑计划项目(2023-YF11-00063-HZ);重庆大学仪器设备功能开发项目(gnkf2022012)。
为了满足微机电系统(MEMS)对高强度、低成本、灵活性好、通用性强硅/硅低温直接键合技术的迫切需求,开展基于氧等离子活化的硅/硅低温直接键合工艺调控方法及应用研究。通过正交实验分析了活化功率、活化时间、氧气流量对键合率和键合...
关键词：氧等离子体 直接键合 正交实验 界面特性 频带拓展 
Chiplet晶圆混合键合技术研究现状与发展趋势被引量：1
《电子工艺技术》2024年第4期6-11,共6页王成君 张彩云 张辉 刘红雨 薛志平 李早阳 乔丽 
国家重点研发计划(2022YFB3404300);科工局基础科研项目(JCKY2019210A002)。
半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。混合键合技术作为微电子封装和先进制造领域的一种新型连接技术,已经成为实现芯片堆叠、未来3D封装的一项关键技术,是实现高性能、高密度...
关键词：晶圆键合 混合键合 异质异构 直接键合 Chiplet 
中科院微电子所取得厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成技术新突破
《超硬材料工程》2024年第3期35-35,共1页无 
近日,中科院微电子所的高频高压中心传来喜讯,刘新宇研究员团队携手天津中科晶禾公司等单位,在厚膜氮化镓(GaN)与多晶金刚石直接键合技术领域取得了显著进展。该研究不仅攻克了多晶金刚石表面形貌的难题,更在室温下实现了与厚膜GaN的高...
关键词：直接键合 微电子所 键合技术 晶圆级 高频高压 多晶金刚石 异质集成 厚膜 
晶圆直接键合预处理关键技术研究进展被引量：2
《固体电子学研究与进展》2023年第6期533-542,共10页吴硕 徐康 洪孟 吕麒鹏 蒲茜 戴家赟 吴超群 郭敏 
国家重点研发计划项目(2022YFB3404300);湖北省自然科学基金资助项目(2021CFB306)。
晶圆键合技术已经广泛应用于功率型半导体光电器件、电子电力器件、大功率固体激光器、MEMS及光电集成等领域。晶圆键合技术根据有无通过中间层实现键合分为两大类,其中晶圆直接键合技术属于无中间层键合,该技术的关键点在于对晶圆预处...
关键词：先进封装制造技术 直接键合 表面预处理 蒸汽清洗 紫外光活化 
先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展被引量：5
《电子与封装》2023年第3期52-62,共11页张明辉 高丽茵 刘志权 董伟 赵宁 
广东省基础与应用基础研究基金(2022A1515011485)。
在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路。应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装。金属铜的电阻率低、抗电...
关键词：Cu-Cu直接键合 先进电子封装 表面处理 键合工艺 
光纤法珀式SiC耐高温压力传感器的制造与测试被引量：5
《中国机械工程》2022年第15期1803-1809,共7页盛天宇 李健 李鸿昌 蒋永刚 
国家自然科学基金(52022008)。
针对高温环境下压力参数的原位测试需求,基于碳化硅(SiC)材料优异的耐高温特性,研制了一种光纤法珀式全SiC结构耐高温压力传感器。采用超声振动铣磨的加工方法制备了表面粗糙度Ra约11.9 nm的SiC传感膜片。利用SiC晶片氢氟酸辅助直接键...
关键词：压力传感器 碳化硅 法珀干涉 超声加工 直接键合 
全SiC结构高温压力传感器制备及测试被引量：1
《测控技术》2022年第6期15-18,25,共5页梁晓波 黄漫国 刘德峰 盛天宇 李健 蒋永刚 
装备发展部装备预研共用技术项目(41423020309)。
面向极端条件下原位压力测量技术的需求,设计了一种光纤法珀式碳化硅(SiC)高温压力传感器。采用全SiC真空法珀(F-P)腔结构,以最大限度发挥SiC材料优异的耐高温特性。通过用反应离子刻蚀和高温高压键合技术成功制备了全SiC式高温压力传感...
关键词：压力传感器 碳化硅 反应性离子刻蚀 直接键合 
3D集成晶圆键合装备现状及研究进展被引量：16
《电子工艺技术》2022年第2期63-67,共5页王成君 胡北辰 杨晓东 武春晖 
科工局基础科研项目。
硅基异构集成和三维集成可满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,有望成为下一代集成电路的使能技术,是集成电路领域当前和今后新的研究热点。硅基三维集成微系统可集成化合物半导体、CMOS、MEMS等...
关键词：晶圆键合 异构集成 3D IC 共晶键合 直接键合 混合键合 
MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究
《传感器与微系统》2022年第3期58-61,共4页刘福民 杨静 梁德春 吴浩越 马骁 王学锋 
微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究...
关键词：预埋腔体绝缘体上硅 Si-SiO_(2)直接键合 薄膜应力 
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