立方相GAN

作品数：9被引量：17H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：杨辉冯志宏沈晓明付羿孙元平更多>>
相关机构：中国科学院河南教育学院郑州大学广西大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《郑州大学学报（理学版）》《发光学报》《广西大学学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金河南省高校青年骨干教师资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
立方相GaN/β-SiC(100)(2×1)混合界面的电子结构被引量：1
《郑州大学学报（理学版）》2003年第3期38-42,共5页宋友林 杨仕娥 贾瑜 
河南省自然科学基金资助项目;编号 0 1110 5 0 40 0;河南省青年骨干教师基金项目
讨论了含有一个混合层的GaN/ β SiC(10 0 ) (2× 1)重构界面模型 ,在此基础上提出了 (2× 1)混合界面在层轨道表象中的微扰势形式 ,计算了立方相GaN/ β SiC(10 0 )异质结中N/Si界面的电子结构和波矢分辨的层态密度 ,详细讨论了混合界...
关键词：半导体 立方相结构 GaN/β-SiC(100)(2×1) 混合界面 电子结构 重构界面模型 层态密度 
立方相GaN的持续光电导被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第1期34-38,共5页张泽洪 赵德刚 孙元平 冯志宏 沈晓明 张宝顺 冯淦 郑新和 杨辉 
国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (Nos.5 0 0 116195 3 ;N HKU 0 2 8/ 0 0 )资助项目~~
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与...
关键词：立方相 GAN 持续光电导 空间载流子分离 势垒限制复合 氮化镓 
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度被引量：3
《Journal of Semiconductors》2002年第10期1093-1097,共5页沈晓明 付羿 冯淦 张宝顺 冯志宏 杨辉 
国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 ( 5 0 0 116 195 3;NHKU0 2 8/ 0 0 )资助项目~~
尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生...
关键词：层错密度 立方相GAN 侧向外延 SEM TEM ELOG 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 
GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现被引量：5
《Journal of Semiconductors》2002年第9期1001-1005,共5页孙元平 张泽洪 赵德刚 冯志宏 付羿 张书明 杨辉 
国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116195 3 ;N-H KU 0 2 8/0 0 )资助项目~~
利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键...
关键词：发光二极管 立方相GAN 晶片键合 工艺设计 GAAS衬底 
立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性
《广西大学学报（自然科学版）》2002年第3期252-255,共4页沈晓明 渠波 冯志宏 杨辉 
国家杰出青年科学基金 (6982 5 1 0 7);NSFC-RGC联合基金(5 0 0 1 1 61 95 3;N- HKU0 2 8/ 0 0 )
通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层中的缺陷结构进行了观察和分析 .结果表明 ,在立方 Ga N/Ga As(0 0 1 )外延层中存在很高密度的堆垛层错 ...
关键词：外延层 立方相GAN 透射电子显微镜 堆垛层错 非对称性 半导体材料 氮化钙 缺陷结构 
用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN(英文)
《发光学报》2001年第S1期1-4,共4页WU Jun ZHAO F H Ito Y Yoshida S Onabe Shiraki Y 
用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。
关键词：Si掺杂GaN MOVPE 光致发光特性 
用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN(英文)
《发光学报》2001年第z1期1-4,共4页WU Jun ZHAO F H Ito Y Yoshida S Onabe Shiraki Y 
用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。
关键词：Si掺杂GaN MOVPE 光致发光特性 
GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》1999年第3期225-230,共6页孙小玲 杨辉 李国华 郑联喜 李建斌 王玉田 王占国 
国家"8 63"高技术计划资助项目
本文报道了利用 MOCVD方法 ,在 Ga As衬底 ( 0 0 1 )面制备的立方 Ga N薄膜的光学性质 .利用光致发光 ( PL )光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量 .利用喇曼散射( RS)光谱研究了立方 Ga N薄膜中的光学声子模式 .横向 ( TO)和...
关键词：砷化镓 MOCVD法 氮化镓 外延生长 
立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究被引量：1
《中国科学（A辑）》1998年第12期1112-1116,共5页徐大鹏 王玉田 杨辉 郑联喜 李建斌 段俐宏 吴荣汉 
国家"八六三"基金资助项目
利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )...
关键词：X光双晶衍射 MOCVD 氮化镓 砷化镓 立方相 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部