郑联喜

作品数：12被引量：12H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：砷化镓MOCVD立方相MOCVD生长立方相GAN更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第8期723-727,共5页赵德刚 杨辉 徐大鹏 李建斌 王玉田 郑联喜 李顺峰 王启明 
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置...
关键词：光致发光 氮化镓 砷化镓 
MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
《中国科学（A辑）》1999年第5期444-449,共6页孙小玲 杨辉 王玉田 李国华 郑联喜 李建斌 徐大鹏 王占国 
国家"八六三"计划基金资助项目
采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存...
关键词：立方相 氮化镓 砷化镓 六角相含量 热退火 MOCVD 
InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性
《Journal of Semiconductors》1999年第4期265-269,共5页郑联喜 胡雄伟 韩勤 
国家自然科学基金
本文研究了以ＩｎＡｌＧａＡｓ作垒层的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决ＩｎＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ在生长温度范围不兼容的问...
关键词：半导体激光器 量子阱 生长 砷化镓 界面特性 
GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》1999年第3期225-230,共6页孙小玲 杨辉 李国华 郑联喜 李建斌 王玉田 王占国 
国家"8 63"高技术计划资助项目
本文报道了利用 MOCVD方法 ,在 Ga As衬底 ( 0 0 1 )面制备的立方 Ga N薄膜的光学性质 .利用光致发光 ( PL )光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量 .利用喇曼散射( RS)光谱研究了立方 Ga N薄膜中的光学声子模式 .横向 ( TO)和...
关键词：砷化镓 MOCVD法 氮化镓 外延生长 
立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究被引量：1
《中国科学（A辑）》1998年第12期1112-1116,共5页徐大鹏 王玉田 杨辉 郑联喜 李建斌 段俐宏 吴荣汉 
国家"八六三"基金资助项目
利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )...
关键词：X光双晶衍射 MOCVD 氮化镓 砷化镓 立方相 
选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》1998年第1期76-80,共5页张益潘 钟杜云 陈志标 郑联喜 吴荣汉 
本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法．利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通过模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件...
关键词：VCSEL 外延生长 腔面发射 激光器 
超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异
《物理学报》1997年第9期1808-1816,共9页王小军 金星 张子平 郑联喜 肖智博 胡雄伟 王启明 
ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层上生长ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ超晶格（ｘ＜ｙ）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于ＭａｔｈｅｗｓＢｌａｋｅｓｌｅｅ（ＭＢ）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇...
关键词：超晶格 砷化镓 铟镓砷 界面特性 半导体 
优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量
《Journal of Semiconductors》1997年第2期85-90,共6页王小军 郑联喜 肖智博 王玉田 胡雄伟 王启明 
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长．在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs／AlzGa1-zAs／GaAs／AlzGa1-xAs双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质．超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H...
关键词：量子阱 砷化镓 MOCVD生长 
MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期392-395,共4页郑联喜 肖智博 韩勤 金才政 周帆 马朝华 胡雄伟 
本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光...
关键词：单量子阱激光器 激光器 MOCVD 
超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算
《发光学报》1995年第2期153-159,共7页郑联喜 王玉田 庄岩 邓礼生 肖智博 胡雄伟 梁骏吾 
在本文中，我们在经典的Ｘ光运动学理论的基础上，加入一些改进，不再直接计算超晶格的结构因子Ｆ００Ｌ，而是计算各原子面的散射波函数，获得了卫星峰的模拟峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ条纹，克服了原来不能解释峰形和ｐｅｎｄｅｌ...
关键词：X光运动学理论 超晶格 结构参数 X射线衍射 
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