李顺峰

作品数：5被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：立方相GANMOCVDINGAN氮化镓更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家杰出青年科学基金更多>>
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Growth of Cubic GaN by MOCVD at High Temperature
《Journal of Semiconductors》2002年第2期120-123,共4页付羿 孙元平 沈晓明 李顺峰 冯志宏 段俐宏 王海 杨辉 
国家自然科学基金资助项目~~
High quality cubic GaN (c GaN) is grown by metalorganic vapor deposition (MOCVD) at an increased growth temperature of 900℃,with the growth rate of 1 6μm/h.The full width at half maximum (FWHM) of room temperature...
关键词：CUBIC GAN MOCVD 
立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
《中国科学（A辑）》2001年第6期562-566,共5页渠波 李顺峰 胡国新 郑新和 王玉田 林世鸣 杨辉 梁骏吾 
国家杰出青年基金
利用扫描电子显微镜 (SEM)、原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积 (LP_MOCVD)的立方相GaN/GaAs(0 0 1 )外延层的表面起伏特征 ,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶...
关键词：极性 表面起伏 立方相 氮化镓 外延层 孪晶 六角相 
高质量立方相InGaN的生长被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第6期548-553,共6页李顺峰 杨辉 徐大鹏 赵德刚 孙小玲 王玉田 张书明 
利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻...
关键词：INGAN MOCVD 生长 光致发光 氮化镓 
立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究被引量：2
《红外与毫米波学报》2000年第1期11-14,共4页徐仲英 刘宝利 李顺峰 杨辉 葛惟昆 
国家攀登计划;国家自然科学基金!(编号 :1 99740 4 5)
用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性.实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为60meV左右.荧光衰退呈现双指数特性,快过程(50p...
关键词：InCaN 激光材料 半导体 稳态 光学特性 瞬态 
立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第8期723-727,共5页赵德刚 杨辉 徐大鹏 李建斌 王玉田 郑联喜 李顺峰 王启明 
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置...
关键词：光致发光 氮化镓 砷化镓 
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