立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相  

作　　者：渠波[1,2] 李顺峰 胡国新[1] 郑新和[1] 王玉田[1] 林世鸣[1] 杨辉[1] 梁骏吾[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 [2]中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第6期562-566,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家杰出青年基金

摘　　要：利用扫描电子显微镜 (SEM)、原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积 (LP_MOCVD)的立方相GaN/GaAs(0 0 1 )外延层的表面起伏特征 ,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系 .结果表明外延表面存在有大量沿 [1 1 0 ]方向延伸的条带状台阶 ,而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶 ,在表面平整的区域内其密度则较低 .{1 1 1 }Ga和 {1 1 1 }N 面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因 .

关 键 词：极性 表面起伏 立方相 氮化镓 外延层 孪晶 六角相 

分 类 号：O78[理学—晶体学]