徐大鹏

作品数：6被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：立方相MOCVD砷化镓氮化镓GAAS更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长
《Journal of Semiconductors》2002年第2期161-164,共4页冯志宏 杨辉 徐大鹏 赵德刚 王海 段俐宏 
国家自然科学基金资助项目~~
利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生...
关键词：MOCVD 立方相 砷化镓 铝镓氮 外延生长 
立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征
《中国科学（E辑）》2001年第3期217-222,共6页渠波 郑新和 王玉田 韩景仪 徐大鹏 林世鸣 杨辉 梁骏吾 
采用X射线多功能四圆衍射仪测绘出GaN/GaAs(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系为 :{0 0 0 1 }∥ {1 1 1 },〈1 0 1 0〉∥〈1 1 2〉 .构建了相应的结构模型 ,并对 {0 0...
关键词：c-GaN h-GaN 四圆衍射 极图 外延生长 半导体 六角相 立方相 
高质量立方相InGaN的生长被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第6期548-553,共6页李顺峰 杨辉 徐大鹏 赵德刚 孙小玲 王玉田 张书明 
利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻...
关键词：INGAN MOCVD 生长 光致发光 氮化镓 
立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第8期723-727,共5页赵德刚 杨辉 徐大鹏 李建斌 王玉田 郑联喜 李顺峰 王启明 
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置...
关键词：光致发光 氮化镓 砷化镓 
MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
《中国科学（A辑）》1999年第5期444-449,共6页孙小玲 杨辉 王玉田 李国华 郑联喜 李建斌 徐大鹏 王占国 
国家"八六三"计划基金资助项目
采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存...
关键词：立方相 氮化镓 砷化镓 六角相含量 热退火 MOCVD 
立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究被引量：1
《中国科学（A辑）》1998年第12期1112-1116,共5页徐大鹏 王玉田 杨辉 郑联喜 李建斌 段俐宏 吴荣汉 
国家"八六三"基金资助项目
利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )...
关键词：X光双晶衍射 MOCVD 氮化镓 砷化镓 立方相 
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