立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究  

作　　者：徐大鹏[1] 王玉田[1] 杨辉[1] 郑联喜[1] 李建斌 段俐宏[1] 吴荣汉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,国家光电工艺中心,北京100083

出　　处：《中国科学（A辑）》1998年第12期1112-1116,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家"八六三"基金资助项目

摘　　要：利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )衍射的FWHM(半峰宽 )为 40min ,其PL谱的FWHM为 1 2nm ,实现了高晶体质量和高光学质量的一致性 .这也是首次报道 1 5 μm以上立方相GaN外延膜光荧光的发光情况 .同时还用X射线三轴晶衍射估算了薄膜内应变和晶粒尺寸 .

关 键 词：X光双晶衍射 MOCVD 氮化镓 砷化镓 立方相 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]