立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长  

MOCVD Growth of Cubic Al_xGa_(1-x) N/GaAs(100)

作　　者：冯志宏[1] 杨辉[1] 徐大鹏[1] 赵德刚[1] 王海[1] 段俐宏[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第2期161-164,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目~~

摘　　要：利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生长温度可以提高 Al GaCubic Al x Ga 1-x N films with good quality are grown on the GaAs(100) substrates by metallorgaic chemical vapor deposition (MOCVD).Photoluminescence (PL) and scanning electron microscope (SEM) are used to analyze the crystalline quality and the surface morphology of the epitaxial layers.It is found that both the relatively big fluxes of NH 3 and the relatively high growth temperature will improve the quality of crystalline and the surface morphology of cubic Al x Ga 1-x N films.

关 键 词：MOCVD 立方相 砷化镓 铝镓氮 外延生长 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]