孙小玲

作品数：3被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：氮化镓MOCVD立方相砷化镓MOCVD生长更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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高质量立方相InGaN的生长被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第6期548-553,共6页李顺峰 杨辉 徐大鹏 赵德刚 孙小玲 王玉田 张书明 
利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻...
关键词：INGAN MOCVD 生长 光致发光 氮化镓 
MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
《中国科学（A辑）》1999年第5期444-449,共6页孙小玲 杨辉 王玉田 李国华 郑联喜 李建斌 徐大鹏 王占国 
国家"八六三"计划基金资助项目
采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存...
关键词：立方相 氮化镓 砷化镓 六角相含量 热退火 MOCVD 
GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》1999年第3期225-230,共6页孙小玲 杨辉 李国华 郑联喜 李建斌 王玉田 王占国 
国家"8 63"高技术计划资助项目
本文报道了利用 MOCVD方法 ,在 Ga As衬底 ( 0 0 1 )面制备的立方 Ga N薄膜的光学性质 .利用光致发光 ( PL )光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量 .利用喇曼散射( RS)光谱研究了立方 Ga N薄膜中的光学声子模式 .横向 ( TO)和...
关键词：砷化镓 MOCVD法 氮化镓 外延生长 
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