MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究  

作　　者：孙小玲[1] 杨辉[1] 王玉田[1] 李国华[1] 郑联喜[1] 李建斌 徐大鹏[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《中国科学（A辑）》1999年第5期444-449,共6页Science in China(Series A)

基　　金：国家"八六三"计划基金资助项目

摘　　要：采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存在一个界面层 ,高温退火时 ,来自界面层的TOB,LOB 声子的强度降低 ,而来自六角相的E2 声子增强 ,说明六角相含量增加 .样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因 .在较低的温度下 ,六角相含量没有明显变化 ,而且与退火时间无关 .

关 键 词：立方相 氮化镓 砷化镓 六角相含量 热退火 MOCVD 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]