立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究  

Study on Photoluminescence Emission in Cubic Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)

作　　者：赵德刚[1] 杨辉[1] 徐大鹏[1] 李建斌 王玉田[1] 郑联喜[1] 李顺峰[1] 王启明[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第8期723-727,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中， Ｎ Ｈ３ 气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件，制备出纯度较高的立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体。By using of photoluminescence spectra,we find some rules about the quality and the optical properties of cubic Al\- x Ga 1-x N/GaAs(100) influenced by the flux of NH\-3.The less the flux of NH\-3,the better the sample quality is and the shorter its luminescence wavelength is with the decrement of the flux of NH\-3.Along the flow direction of NH\-3,the quality of crystal is getting better and the luminescence wavelength shorter.The experimental results are discussed briefly. PACC:6855, 6848

关 键 词：光致发光 氮化镓 砷化镓 

分 类 号：TN383.2[电子电信—物理电子学] TN304.23