立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征  

作　　者：渠波[1] 郑新和[1] 王玉田[1] 韩景仪[2] 徐大鹏[1] 林世鸣[1] 杨辉[1] 梁骏吾[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室,北京100083 [2]中国地质科学院矿床地质研究所,北京100037

出　　处：《中国科学（E辑）》2001年第3期217-222,共6页Science in China(Series E)

摘　　要：采用X射线多功能四圆衍射仪测绘出GaN/GaAs(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系为 :{0 0 0 1 }∥ {1 1 1 },〈1 0 1 0〉∥〈1 1 2〉 .构建了相应的结构模型 ,并对 {0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图进行了模拟 .六角相以该取向关系存在于立方相GaN外延层中时 ,两相界面处具有相应于六角相和立方相的层错结构 .分析立方相GaN外延层中形成六角相所导致的晶格畸变和能量变化可知 ,造成六角相分布特征的主要因素是平行于〈0 0 0 1〉方向的两相界面处原子成键紊乱 .六角相按照该取向关系 ,从低温缓冲层内部或缓冲层与外延层界面处萌生 。

关 键 词：c-GaN h-GaN 四圆衍射 极图 外延生长 半导体 六角相 立方相 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]