肖智博

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：超晶格大功率MOCVD生长MOCVD激光器更多>>
发文领域：理学电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异
《物理学报》1997年第9期1808-1816,共9页王小军 金星 张子平 郑联喜 肖智博 胡雄伟 王启明 
ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层上生长ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ超晶格（ｘ＜ｙ）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于ＭａｔｈｅｗｓＢｌａｋｅｓｌｅｅ（ＭＢ）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇...
关键词：超晶格 砷化镓 铟镓砷 界面特性 半导体 
MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期392-395,共4页郑联喜 肖智博 韩勤 金才政 周帆 马朝华 胡雄伟 
本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光...
关键词：单量子阱激光器 激光器 MOCVD 
超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算
《发光学报》1995年第2期153-159,共7页郑联喜 王玉田 庄岩 邓礼生 肖智博 胡雄伟 梁骏吾 
在本文中，我们在经典的Ｘ光运动学理论的基础上，加入一些改进，不再直接计算超晶格的结构因子Ｆ００Ｌ，而是计算各原子面的散射波函数，获得了卫星峰的模拟峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ条纹，克服了原来不能解释峰形和ｐｅｎｄｅｌ...
关键词：X光运动学理论 超晶格 结构参数 X射线衍射 
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