邓礼生

作品数：3被引量：4H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：半导体材料半导体工艺半导体废气含砷更多>>
发文领域：理学环境科学与工程电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
RTCVD 工艺制备 poly-Si 薄膜太阳电池的研究
《太阳能学报》1998年第2期152-155,共4页赵玉文 李仲明 何少琪 王文静 寥显伯 盛殊然 邓礼生 潘广勤 
报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与...
关键词：多晶硅薄膜 太阳电池 RTCVD 薄膜太阳电池 
半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测被引量：4
《Journal of Semiconductors》1995年第3期188-194,共7页闻瑞梅 梁骏吾 邓礼生 彭永清 
本文研究了化合物半导体材料、器件生产工艺过程中排出的有毒物质砷、磷、硫及其化合物的治理方法．还研究了这些有毒物质的低温富集取样及快速、灵敏的分析监测方法，并与其它经典的方法作了对比．
关键词：生产工艺 尾气 砷 磷 硫 治理 检测 半导体材料 
超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算
《发光学报》1995年第2期153-159,共7页郑联喜 王玉田 庄岩 邓礼生 肖智博 胡雄伟 梁骏吾 
在本文中，我们在经典的Ｘ光运动学理论的基础上，加入一些改进，不再直接计算超晶格的结构因子Ｆ００Ｌ，而是计算各原子面的散射波函数，获得了卫星峰的模拟峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ条纹，克服了原来不能解释峰形和ｐｅｎｄｅｌ...
关键词：X光运动学理论 超晶格 结构参数 X射线衍射 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部