金才政

作品数：5被引量：20H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：大功率MOCVD激光器单量子阱激光器MQW更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光子学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统被引量：16
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1572-1576,共5页陈少武 韩勤 胡传贤 金才政 
国家"8 63"计划 715主题资助项目 (课题号 :863 -715 -Z3 5 -3 B)~~
针对 8 0 8nm大功率 Ga As/ Ga Al As半导体量子阱激光器的远场光场分布特点 ,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求 ,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统 ,对耦合光学系统的实际性能进行了测试 ,给出...
关键词：半导体激光器 光学系统 可靠性 光纤耦合模块 
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第5期391-394,共4页朱东海 王占国 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 金才政 丛立方 胡雄伟 韩勤 方祖捷 刘斌 屠玉珍 
国家"863"计划的支持
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室...
关键词：单量子阱 激光器 材料生长 
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP压、张应变交替MQW激光器特性被引量：1
《光子学报》1997年第5期418-421,共4页王志杰 陈博 王圩 张济志 朱洪亮 周帆 王玉田 金才政 马朝华 
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm）...
关键词：低阈值 激光器 MOCVD 铟镓砷 MQW 
LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性
《Journal of Semiconductors》1997年第3期232-236,共5页王志杰 陈博 王圩 张济志 朱洪亮 周帆 金才政 马朝华 王启明 
本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其T...
关键词：LP-MOVPE生长 材料 半导体 多量子阱结构 
MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期392-395,共4页郑联喜 肖智博 韩勤 金才政 周帆 马朝华 胡雄伟 
本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光...
关键词：单量子阱激光器 激光器 MOCVD 
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