高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性  

High-Power, High-Temperature Operation of AlGaAs Single Quantum Well Lasers

作　　者：朱东海[1] 王占国[1] 梁基本[1] 徐波 朱战萍[1] 张隽[1] 龚谦[1] 金才政[2] 丛立方 胡雄伟[2] 韩勤 方祖捷[3] 刘斌[3] 屠玉珍[3] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083 [2]国家光电子工艺中心 [3]中国科学院上海光学精密机械研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第5期391-394,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"863"计划的支持

摘　　要：本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．High power AlGaAs single quantum well (GRIN-SCH) lasers grown by MBE have been investigated at high temperature. We have demonstrated the GRIN-SCH lasers capable of CW operation up to 2W at room temperature and 500mW at 95℃. The laser has characteristic temperature (T0) of 185K (35～85℃ ) and 163K (85～95℃). Compared with the operation at room temperature, the slope efficiency is decreased by 23% at 95℃.

关 键 词：单量子阱 激光器 材料生长 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学] TN304.054