龚谦

作品数：8被引量：30H指数：4
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：激光器量子点激光器量子点砷化镓砷化铟更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《高技术通讯》更多>>
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大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器被引量：7
《Journal of Semiconductors》2000年第8期827-829,共3页王占国 刘峰奇 梁基本 徐波 丁鼎 龚谦 韩勤 
国家自然科学基金和国家高技术新材料领域资助项目
利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电...
关键词：量子点激光器 砷化镓 分子束外延 
量子点激光器及其应用研究被引量：2
《高技术通讯》2000年第4期91-93,共3页梁基本 徐波 龚谦 韩勤 周伟 姜卫红 刘会云 王占国 
国家自然科学基金!(69576026);863计划!(7150140010)资助项目
报道了用分于束外延生长出自组装垂直耦合InAs/GaAs大功率量子点激光器(QDLaser)材料和器件。对腔长为 80 0 μm ,室温下和 77K下连续激射阈值电流密度分别为 2 18A/cm2 和 4 9A/cm2 ,波长为 96 0nm ,最大输出功率大于lW。首次报道在0 ...
关键词：激光器 量子点 分子束外延 
InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析被引量：8
《Journal of Semiconductors》1999年第8期662-666,共5页龚谦 梁基本 徐波 丁鼎 王占国 裘晓辉 商广义 白春礼 
国家自然科学基金;国家"863"高技术计划新材料领域项目
我们利用分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ）技术在 Ｇａ Ａｓ（００１）衬底上生长 １８ 个原子层的 Ｉｎ Ａｓ，形成了纳米尺寸的 Ｉｎ Ａｓ 量子点．对 Ｉｎ Ａｓ 量子点进行原子力显微镜（ Ａ Ｆ Ｍ ）测量，得到了量子点的高度和横向...
关键词：砷化铟 外延生长 测量 MBE技术 
GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性被引量：7
《物理学报》1999年第8期1541-1546,共6页姜卫红 许怀哲 龚谦 徐波 王吉政 周伟 梁基本 王占国 
国家自然科学基金
报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（...
关键词：砷化镓 衬底 砷化铟 量子点 光学特性 
红光InAlAs量子点的结构和光学性质被引量：1
《发光学报》1999年第3期230-234,共5页周伟 梁基本 徐波 龚谦 李含轩 刘峰奇 姜卫红 江潮 许怀哲 丁鼎 张金福 王占国 
国家自然科学基金
利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ 量子点结构． 通过原子力显微镜观测表明， ＩｎＡｌＡｓ量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大； 发现Ａｌ原子的表面迁移...
关键词：红光量子点 表面扩散 光荧光 铟铝砷 
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第5期391-394,共4页朱东海 王占国 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 金才政 丛立方 胡雄伟 韩勤 方祖捷 刘斌 屠玉珍 
国家"863"计划的支持
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室...
关键词：单量子阱 激光器 材料生长 
MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究被引量：1
《发光学报》1997年第3期228-231,共4页朱东海 范缇文 梁基本 徐波 朱战萍 龚谦 江潮 李含轩 周伟 王占国 
国家自然科学基金
利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的...
关键词：量子点 分子束外延 自组织生长 砷化铟 
808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第2期108-112,共5页朱东海 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 李胜英 王占国 
通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连...
关键词：量子阱 半导体激光器 砷化镓 ALGAAS 激射波长 
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