云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MBE技术

MBE技术: 作品数：10被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：赵亮杨乃彬孔庆云赵小磊商广义更多>>; 相关机构：中国科学院中国航空综合技术研究所清华大学南京电子器件研究所更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《国防制造技术》《制造业自动化》《无机材料学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国防基础科研计划国家高技术研究发展计划更多>>

美国国防部大力推进“基于模型的企业”技术发展: 《国防制造技术》2018年第2期11-15,共5页李晓红; 美国国防部从2005年提出＂基于模型的企业（MBE）＂概念以来,一直在积极推动MBE技术的发展。2018年4月由美国国防部共同参与主办的＂基于模型的企业（MBE）2018年峰会＂,指出业界对MBE的认识已经从＂为什么MBE重要＂发展到＂如何部署实...; 关键词：MBE技术美国国防部基于模型企业工业界

MBE技术蓝宝石衬底上生长VO_2薄膜及其太赫兹和金属–绝缘体相变特性研究（英文）被引量：3: 《无机材料学报》2017年第4期437-442,共6页孙洪君王敏焕边继明苗丽华章俞之骆英民; Fundamental Research Funds for the Central Universities(DUT16LAB11);Opening Project of Key Laboratory of Inorganic Coating Materials,Chinese Academy of Sciences(KLICM-2014-01); 采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO_2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15~60 nm精确控制。对于优化条件下VO_2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属–绝缘体相变,近似于之前报道高质...; 关键词：二氧化钒薄膜太赫兹时域光谱分子束外延金属–绝缘体相变

基于MBE技术的航空产品研制模式研究被引量：2: 《制造业自动化》2014年第14期153-156,共4页赵亮骆晶妍夏晓理赵辛雨; 国防基础科研项目(A0520110034); 介绍了基于模型的企业概念以及国内航空企业的研制现状,分析了基于模型的技术在国内设计和制造环节的应用现状,剖析了航空产品研制过程中全生命周期管理和异地协同研制的要求,提出了以模型作为核心依据、以数据贯穿研制流程、层次化的...; 关键词：基于模型的企业航空模式

MBE与大数据给PDM带来的思考被引量：10: 《制造业自动化》2013年第20期70-74,共5页夏秀峰赵小磊孔庆云; MBE技术的应用使工程数据的结构特征越来越弱,而多型号、大数据使基于RDB的PDM在高并发读写、海量数据高效存储和访问、高可扩展性和高可用性等方面存在的问题日显突出。论述了在大数据和MBE环境下,利用企业私有云和NoSQL技术实施PDM的...; 关键词：MBE技术大数据 NoSQL技术企业私有云产品数据管理

High Performance SLED Fabricated by Pulsed Anodic Oxidation: 《Defence Technology（防务技术）》2009年第1期47-51,共5页高欣薄报学张晶李辉曲轶; Sponsored by the National Nature Science Foundation of China(60474026,60477010); InGaAs/AlGaAs MQW superluminescent LED(SLED) is fabricated by using pulsed anodic oxidation and molecular beam epitaxy(MBE).The power and spectral output characteristics of three kinds of device structures are investi...; 关键词：脉冲阳极氧化高性能材料超辐射发光二极管 ALGAAS 输出功率分子束外延 MBE技术多量子阱

InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析被引量：8: 《Journal of Semiconductors》1999年第8期662-666,共5页龚谦梁基本徐波丁鼎王占国裘晓辉商广义白春礼; 国家自然科学基金;国家"863"高技术计划新材料领域项目; 我们利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在ＧａＡｓ（００１）衬底上生长１８个原子层的ＩｎＡｓ，形成了纳米尺寸的ＩｎＡｓ量子点．对ＩｎＡｓ量子点进行原子力显微镜（ＡＦＭ）测量，得到了量子点的高度和横向...; 关键词：砷化铟外延生长测量 MBE技术

MBE生长InAs薄膜输运性质的研究: 《Journal of Semiconductors》1998年第9期646-649,共4页周宏伟董建荣王红梅曾一平朱占萍潘量孔梅影; 在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率．掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高．且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极...; 关键词：MBE技术砷化铟半导体薄膜技术

美国建立制造红外探测器的“微型工厂”: 《长春光学精密机械学院学报（科技信息版）》1998年第1期19-19,共1页; 关键词：美国红外探测器真空环境制作工艺 MBE技术激光二极管

MBE技术