周宏伟

作品数：5被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：INASMBE生长砷化铟半导体薄膜技术GAAS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响
《Journal of Semiconductors》2000年第7期652-656,共5页于磊 曾一平 潘量 孔梅影 李晋闽 李灵霄 周宏伟 
研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其中衬底温度直接影响着 In的偏析程度 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ G...
关键词：自组织生长 衬底温度 生长速率 MBE 砷化镓 
MBE生长的InAs薄膜Hall器件
《Journal of Semiconductors》1999年第10期873-876,共4页周宏伟 曾一平 李歧旺 王红梅 潘量 孔梅影 
　利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中。
关键词：MBE生长 Hall器件 砷化铟 半导体薄膜技术 
MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
《Journal of Semiconductors》1998年第9期646-649,共4页周宏伟 董建荣 王红梅 曾一平 朱占萍 潘量 孔梅影 
在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率．掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高．且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极...
关键词：MBE技术 砷化铟 半导体薄膜技术 
InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第6期413-416,共4页王红梅 曾一平 周宏伟 董建荣 潘栋 潘量 孔梅影 
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与ＧａＡｓ平面Ｈａｌ器件相...
关键词：霍尔器件 砷化铟 MBE生长 
InAs薄膜Hall器件被引量：1
《传感器技术》1998年第5期19-21,共3页周宏伟 曾一平 李歧旺 卫微 王红梅 孔梅影 
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏...
关键词：霍尔器件 积灵敏度 电压相关 电阻温度系数 
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