李歧旺

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：INAS灵敏度电阻温度系数MBE生长半导体薄膜技术更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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MBE生长的InAs薄膜Hall器件
《Journal of Semiconductors》1999年第10期873-876,共4页周宏伟 曾一平 李歧旺 王红梅 潘量 孔梅影 
　利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中。
关键词：MBE生长 Hall器件 砷化铟 半导体薄膜技术 
InAs薄膜Hall器件被引量：1
《传感器技术》1998年第5期19-21,共3页周宏伟 曾一平 李歧旺 卫微 王红梅 孔梅影 
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏...
关键词：霍尔器件 积灵敏度 电压相关 电阻温度系数 
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