砷化铟

作品数：130被引量：112H指数：6
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面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备
《红外与毫米波学报》2022年第2期420-424,共5页刘丽杰 赵有文 黄勇 赵宇 王俊 王应利 沈桂英 谢辉 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61904175)。
采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧...
关键词：砷化铟 衬底 表面清洗 全反射X射线荧光光谱 X射线光电子能谱 
宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状被引量：6
《军民两用技术与产品》2020年第3期21-28,共8页唐林江 万成安 张明华 李莹 
一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定...
关键词：宽禁带半导体材料 砷化铝 砷化铟 磷化镓 抗辐射能力 光电产业 GAN 第三代 
硫化物钝化对InAs纳米线光学特性的影响
《红外与毫米波学报》2019年第5期591-597,共7页李宝宝 李生娟 陈刚 李世民 王兴军 
国家自然科学基金(11874377);上海市自然科学基金(18ZR1445700)~~
针对InAs纳米线表面氧化造成的发光效率低的问题,采用十八硫醇和硫化铵钝化了由化学气相沉积设备生长的闪锌矿结构的InAs纳米线。对硫化物钝化前后的InAs纳米线进行温度依赖的光致发光光谱测试。实验结果表明,十八硫醇和硫化铵钝化的InA...
关键词：砷化铟纳米线 硫化物 表面态 光致发光 
基于磷化铟、砷化铟和锑化铟的光栅型超宽带远红外线吸收器
《红外》2018年第9期14-21,48,共9页赵晨 薛文瑞 陈曦 陈岳飞 李昌勇 
设计了一种由磷化铟(In P)、砷化铟(In As)和锑化铟(In Sb) 3种半导体材料复合而成的槽深线性渐变的光栅型超宽带远红外线吸收器。其吸收机理是表面等离子共振效应和电介质腔共振效应。利用频域有限差分法(Finite-Difference Frequency-...
关键词：吸收器 远红外线 超宽带 光栅 半导体 
由浅到深 谈芯说事
《电子元器件与信息技术》2018年第1期52-54,共3页
三星宣布,加入了11nm工艺,性能比此前的14nm提升了15%,单位面积的功耗降低了10%。若要遵循摩尔定律继续走下去,未来的半导体技术还会有多大所提升空间呢?10年前我们觉得65nm工艺是极限,因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍...
关键词：化合物半导体 晶体管 半导体材料 砷化铟 石墨烯 FET 半导体工艺 
新型锑掺杂砷化铟纳米线大幅提高红外探测灵敏度
《传感器世界》2017年第5期44-44,共1页
4月10日，英国自然网站在线发表了江汉大学曹元成教授团队与英国兰开斯特大学半导体中心首席研究员庄乾东博士团队合作研发的一种新型材料，呵大幅提高红外探测灵敏度。
关键词：探测灵敏度 高红外 纳米线 砷化铟 锑掺杂 新型材料 研究员 半导体 
世界最小的晶体管问世：仅分子大小
《集成电路通讯》2015年第4期14-14,共1页
日前，IBM宣布研发成功7nm芯片，而现在，又有研发团队宣称制备成功了有史以来最小的晶体管-只有单个分子大小。 实现这一惊人成就的是来自一支德国、日本和美国的联合研究团队，他们在砷化铟晶体衬底上使用12个带正电的铟原子环绕一...
关键词：分子大小 晶体管 世界 砷化铟 IBM 研发 芯片 环绕 
分子大小的晶体管
《光学精密机械》2015年第3期6-6,共1页
在一个砷化铟晶体上，12个带正电的钢原子环绕着一个酞菁染料分子，这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制，这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。
关键词：分子大小 晶体管 染料分子 摩尔定律 最小尺寸 砷化铟 科学家 环绕 
分子大小的晶体管新鲜出炉
《功能材料信息》2015年第4期62-62,共1页
在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日...
关键词：分子大小 固体电子学 酞菁染料 砷化铟 美国海军 团队开发 摩尔定律 研究实验室 柏林自由大学 原子尺度 
IBM以标准CMOS工艺打造三五族FinFET
《半导体信息》2015年第4期23-24,共2页郑畅 
整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从硅基板转换而利用砷化铟镓（InGaAs）的更高电子迁移率，包括英特尔（Intel）与三星（Samsung）；而IBM已经展示了如何利用标准CMOS工艺技术来达成以上目标。
关键词：CMOS工艺 FINFET IBM 标准 高电子迁移率 半导体产业 砷化铟镓 硅基板 
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