高电子迁移率

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GaN晶体管非傅里叶导热的反射热成像与全带跨尺度仿真对比研究
《工程热物理学报》2025年第3期884-889,共6页刘智珂 李含灵 沈扬 曹炳阳 
国家自然科学基金(No.52327809,No.52425601,No.52250273)和国家重点研发计划项目(No.2023YFB4404104)。
分别采用反射热成像温度场测试技术和全带跨尺度仿真针对GaN晶体管非傅里叶热输运进行研究。在GaN外延结构上设计和加工了不同尺寸的加热电极,借助反射热成像方法的高空间分辨率优势,观察到了低至500 nm尺寸热源的温度场分布,更加直接...
关键词：高电子迁移率晶体管 非傅里叶导热 反射热成像 全带跨尺度仿真 
AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
《大连理工大学学报》2025年第1期105-110,共6页吴淇暄 张贺秋 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽 
分立GaN HEMT器件动态电阻测量系统设计
《电力电子技术》2025年第1期117-120,共4页文阳 石孟洁 杨媛 张冲 
西安市科技计划(22GXFW0076);陕西省教育厅专项科学研究计划(21JK0791)。
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高功率密度等应用领域得到广泛应用,然而GaN HEMT器件的导通电阻会随着应用工况发生改变(动态电阻现象),导致其在应用中导通损耗不能被准确评估。针对这一问题,本文设计了一种GaN HEMT器件...
关键词：高电子迁移率晶体管 动态电阻 导通电压测量 测量系统 
磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状
《核技术》2025年第1期27-41,共15页方仁凤 周书星 曹文彧 魏彦锋 汪竞阳 李树森 颜家圣 梁桂杰 
国家自然科学基金(No.11705277);湖北文理学院研究生教育质量工程项目(No.YZ3202405);襄阳市科技计划项目(No.2022ABH006045)资助。
磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降...
关键词：磷化铟 高电子迁移率晶体管 辐照效应 辐射诱导缺陷 抗辐射加固 
GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展
《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武 王安晨 殷亚楠 周昕杰 
阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应 损伤机制 抗辐射加固 
基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制
《固体电子学研究与进展》2024年第5期379-383,共5页孙远 陈忠飞 陆海燕 吴少兵 任春江 王维波 章军云 
实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流...
关键词：磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写 太赫兹 低噪声放大器 
氮化镓基单片功率集成技术被引量：1
《电子科技大学学报》2024年第5期685-697,共13页周靖贵 陈匡黎 周琦 张波 
国家自然科学基金(62174019);广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
关键词：氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道 
微波GaN器件温度效应建模
《物理学报》2024年第17期240-247,共8页王帅 葛晨 徐祖银 成爱强 陈敦军 
国家重点研发计划(批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(批准号:BE2022070,BE2022070-2)资助的课题.
通过对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析,本文基于EEHEMT等效电路模型,针对GaN HEMT漏源电流I_(ds)提出了一种温度效应模型.该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 模型 直流特性 
一款基于非线性模型设计的高性能GaN功率放大载片
《固体电子学研究与进展》2024年第4期277-283,共7页景少红 徐祖银 李飞 成爱强 梁宸玮 
国家重点研发计划项目(2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术项目(BE2022070,BE2022070-2)。
采用南京电子器件研究所研制的0.35μm栅长、60 V高压AlGaN/GaN HEMT工艺,利用可缩放大信号模型仿真设计了一款工作在S波段的高性能功率放大载片。该功率放大载片由单个总栅宽为36.4 mm的GaN管芯采用混合集成内匹配方案设计而成,漏极工...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 非线性模型 功率放大载片 
侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
《红外与毫米波学报》2024年第4期526-532,共7页康亚茹 董慧 刘晶 黄镇 李兆峰 颜伟 王晓东 
国家自然科学基金(61971395)。
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的...
关键词：氮化镓 太赫兹探测器 侧栅 高电子迁移率晶体管 
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