宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状  

作　　者：唐林江 万成安 张明华 李莹 

机构地区：[1]北京卫星制造厂有限公司

出　　处：《军民两用技术与产品》2020年第3期21-28,共8页Dual Use Technologies & Products

摘　　要：一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20世纪信息光电产业的基础。第三代宽禁带半导体材料一般是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、金刚石等材料,其具有禁带宽度大、抗辐射能力强、击穿电场强度好、耐高温等特点.

关 键 词：宽禁带半导体材料 砷化铝 砷化铟 磷化镓 抗辐射能力 光电产业 GAN 第三代 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]