磷化镓

作品数：117被引量：106H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：崔得良黄柏标高善民张兆春丁祖昌更多>>
相关机构：山东大学北京有色金属研究总院浙江大学北京师范大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
迈向全新的产业时代 三问三答第三代半导体材料
《微型计算机》2021年第3期91-95,共5页张平(文/图) 
你听说过第三代半导体吗?在一般的认知中,第一代半导体是由硅、锗这样的材料构成,第二代半导体包括砷化镓、磷化镓,所谓第三代半导体则是以氮化镓、碳化硅、氧化锌和金刚石为主。那么,第三代半导体相比前两代半导体的优势是什么,又有哪...
关键词：磷化镓 氮化镓 第三代半导体 砷化镓 材料构成 氧化锌 金刚石 碳化硅 
宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状被引量：6
《军民两用技术与产品》2020年第3期21-28,共8页唐林江 万成安 张明华 李莹 
一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定...
关键词：宽禁带半导体材料 砷化铝 砷化铟 磷化镓 抗辐射能力 光电产业 GAN 第三代 
多接点太阳能电池在瑞士诞生
《上海节能》2019年第6期533-533,共1页
前不久,瑞士科学家成功研发一种类似航天器使用、号称为多接点的太阳能电池。此电池采用不同的材料,如砷化镓和磷化镓铟,能从更宽的太阳光谱中捕捉能量。此太阳能板效率可达29%。
关键词：太阳能电池 瑞士 接点 太阳光谱 太阳能板 航天器 科学家 磷化镓 
^(56)Fe^(13+)离子引起GaP晶体的微结构损伤
《原子核物理评论》2017年第4期811-814,共4页陈晓旭 孙爱民 宋银 张崇宏 杨义涛 
国家自然科学基金资助项目(1103Y623010);中国科学院"西部之光"人才培养引进计划资助项目(29Y523020)~~
利用X射线衍射(XRD)技术、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Raman光谱对经不同剂量的^(56)Fe^(13+)离子辐照的Ga P晶体的微结构进行了表征。结果表明:随着辐照离子剂量的增加,Ga P晶体中产生了局部的无序与缺陷。随着^(56)Fe^(13+)离子剂量...
关键词：磷化镓 56Fe13+辐照 晶格损伤 非晶化 
反常大带宽声光偏转器被引量：1
《压电与声光》2016年第6期837-839,共3页张泽红 何晓亮 
国家重大资助项目
该文介绍了一种利用反常声光互作用原理制作的大带宽声光偏转器。该器件使用的声光互作用介质是磷化镓晶体,声波模式是横波,采用单片换能器结构,实现了带宽与衍射效率的合理兼顾。制作的大带宽声光偏转器样品的3dB带宽达1 040MHz,峰值...
关键词：反常声光互作用 声光偏转器 磷化镓 带宽(3dB) 衍射效率 光偏振态 
贝塞尔飞秒光束光学整流效应的研究被引量：2
《光学学报》2016年第10期385-392,共8页梁晓晶 栗岩锋 徐帅帅 曹辉 胡明列 柴路 王清月 
国家自然科学基金(61377047,61377041,61535009,61427814,61322502,61077083,61027013);国家973计划(2014CB339800);教育部长江学者和创新团队发展计划(IRT13033)
光学整流效应是产生宽带太赫兹波最有效的手段之一,基于光学整流效应产生太赫兹波的方法主要依靠抽运光与非线性晶体之间的相互作用。分别以5mm的磷化镓(GaP)块状晶体和6mm的GaP波导结构作为太赫兹波发射晶体,对具有相同功率的贝塞尔光...
关键词：物理光学 太赫兹波 光学整流 贝塞尔光束 磷化镓 
应用于2G/3G移动通讯的多频多模高谐波抑制功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第6期531-536,共6页郑瑞青 章国豪 
介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915...
关键词：功率放大器 多模多频 谐波抑制 磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路 
碳化硅材料及技术研究进展被引量：3
《新材料产业》2015年第10期20-25,共6页刘义鹤 江洪 
一、引言在半导体材料的发展历史上，通常将硅（Si）、锗（Ge）称作第1代半导体。将砷化镓（GaAs）、磷化钢（InP）、磷化镓（GaP）等为代表的合金半导体称作第2代半导体。
关键词：碳化硅材料 半导体材料 技术 合金半导体 发展历史 磷化镓 砷化镓 
纳米技术助力车用氢燃料电池
《光学精密机械》2015年第3期20-20,共1页
目前的车用太阳能电池板不仅笨重，而日．也无法为汽车提供足够的电力，大大限制了太阳能在汽车领域“大显身手”的潜力。荷兰科学家采用磷化镓纳米线网格，利用太阳能将水分解成氢气和氧气，生成的氢燃料电池可以为汽车供电．标志着太...
关键词：氢燃料电池 纳米技术 车用 太阳能电池板 太阳能汽车 论文发表 纳米线 磷化镓 
5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第4期340-345,共6页郑瑞青 郑耀华 章国豪 
介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管（InGaP/GaAs HBT）功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路（MMIC）技术和射频基板封装技术得以实现。在5....
关键词：J类功率放大器 效率 磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路 
全选清除导出
共12页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部