碳化硅材料及技术研究进展  

作　　者：刘义鹤[1] 江洪[1] 

机构地区：[1]中国科学院武汉文献情报中心

出　　处：《新材料产业》2015年第10期20-25,共6页Advanced Materials Industry

摘　　要：一、引言在半导体材料的发展历史上，通常将硅（Si）、锗（Ge）称作第1代半导体。将砷化镓（GaAs）、磷化钢（InP）、磷化镓（GaP）等为代表的合金半导体称作第2代半导体。

关 键 词：碳化硅材料 半导体材料 技术 合金半导体 发展历史 磷化镓 砷化镓 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]