砷化铝

作品数:32被引量:32H指数:3
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彩色钙钛矿太阳能电池的Fano微纳砷化铝光栅模拟设计被引量:1
《光学仪器》2021年第3期45-51,59,共8页王彦平 陈希 
国家自然科学基金(11974247)。
针对彩色钙钛矿太阳能电池的美学特征,对该太阳能电池的纳米级色彩调节进行了研究。利用Fano共振原理以及在钙钛矿太阳能电池中采用Fano微纳砷化铝光栅结构,模拟出了不同色彩的钙钛矿太阳能电池。模拟结果表明,调节Fano微纳砷化铝光栅...
关键词:彩色钙钛矿太阳能电池 微纳结构光栅 砷化铝 纳米级色彩调节 Fano共振 
宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状被引量:6
《军民两用技术与产品》2020年第3期21-28,共8页唐林江 万成安 张明华 李莹 
一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定...
关键词:宽禁带半导体材料 砷化铝 砷化铟 磷化镓 抗辐射能力 光电产业 GAN 第三代 
单壁AlAs(111)纳米管结构和电子性质的密度泛函理论研究被引量:1
《物理化学学报》2017年第3期548-553,共6页王玮 谭凯 
国家自然科学基金(21573182)资助项目~~
通过卷曲立方AlAs(111)单层片(sheets)构造了一系列(n,0)和(n,m)一维单壁纳米管。用周期性密度泛函理论(DFT)计算并比较了不同类型AlAs纳米管在几何结构、能量及电子性质等方面的差别。计算结果表明锯齿型和椅型纳米管应变能均为负值,...
关键词:密度泛函理论 砷化铝 锯齿型 椅型 纳米管 
美研发砷化镓晶片批量生产技术可大幅降低成本
《半导体信息》2010年第3期11-11,共1页章从福 
新一期英国《自然》杂志报告说,美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术,克服了成本上的瓶颈,从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。
关键词:砷化镓 感光性能 批量生产 降低成本 砷化铝 化学物质 伊利诺伊大学 太空飞船 
ILED阵列:货真价实的柔性显示器
《国防制造技术》2009年第5期33-33,共1页John Wallace 李小磊 
人们通常认为柔性显示器耐用性不佳。柔性显示器一般是采用有机发光二极管(0LED)技术,存在一个主要问题:如果显示器弯曲,发光像素也会弯曲;采用E-Ink电泳技术的非发光柔性显示器也存在需要柔性像素的问题。这不但限制了显示器的寿命和...
关键词:柔性显示器 ILED阵列 有机发光二极管 发光材料 耐用性 源矩阵 电泳技术 砷化铝 全彩色 半导体 
量子级联激光器的平均功率达0.67 W
《半导体信息》2005年第2期17-17,共1页郑冬冬 
美国西北大学的研究人员证实了在室温下5.9μm的量子级联(QC)激光日产生的平均功率达0.67 W。该小组通过增加异质结构的导带间距、降低包括一金顶接触层的发射区的掺杂浓度,降低该激光器的阈值电流密度和所依赖的温度。
关键词:量子级联激光器 平均功率 阈值电流 异质结构 腔长 美国西北大学 发射区 脊形波导 砷化铝 温下 
具有AlAs氧化层的半导体型材
《科技开发动态》2005年第1期47-47,共1页周均铭 陈弘 王文冲 
编号:0501243 该实用新型专利是一种具有AlAs氧化层的半导体型材。
关键词:砷化铝 氧化层 半导体型材 氧化速率 
瑞典科学家看穿纳米线
《半导体信息》2004年第5期29-29,共1页郑冬冬 
《中国科技信息》报导:瑞典Lund大学Lars Samuelson领导的研究小组首先以新科技成功的看穿纳米线的内部结构。他们利用横断扫描穿隧显微技术(cross—sectional scanning tunneling microscopy,XSTM)取得GaAs纳米线内部结构的图像,也清...
关键词:结构缺陷 显微技术 单原子 中国科技信息 TUNNELING 子列 双平面 sectional 砷化铝 子平面 
安捷伦为手机和PDA推出极小表面封装LED
《科技资讯》2004年第8X期12-12,共1页
安捷伦科技(Agilent Technologies)目前宣布,面向下一代更小、更薄、更时尚的手机和PDA推出适用于LCD和键盘背光及状态指示灯等领域的业内最小的表面封装ChipLED。这款产品还适用于办公和工业自动化、消费类产品、网络设备和医疗仪器等...
关键词:LED PDA 消费类产品 状态指示灯 工业自动化 医疗仪器 发光强度 网络设备 砷化铝 大中华地区 
Correct Evaluation of the Effect of Transverse Effective Charges on Phonons in AlAs Quantum Dots
《Communications in Theoretical Physics》2003年第6X期727-734,共8页QINGuo-Yi 
国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金
An improved valence force field model (VFFM) is suggested to calculate the phonon modes in both bulk specimens and quantum dots (QDs) of AlAs taking account of the effect of transverse effective charges (TCs) correctl...
关键词:量子点 半导体材料 砷化铝 声子模式 横向有效电荷 声子谱 
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