半导体薄膜技术

作品数：49被引量：133H指数：7
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相关机构：中国科学院复旦大学北京航空航天大学中国科学技术大学更多>>
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超声喷雾热解法制备半导体薄膜技术被引量：4
《材料导报》2011年第13期70-74,共5页王世凯 姜妍彦 唐乃岭 李焕勇 胡志强 
国家863高技术研究发展计划资助项目(2006AA05Z417)
超声喷雾热解法(USP)作为一种新兴的薄膜制备技术,已制备出多种半导体薄膜材料,并成功应用于太阳能电池、传感器、固态氧化物燃料电池等领域。介绍了USP制备薄膜技术的原理,结合近年来USP技术在半导体薄膜制备领域的研究进展,系统阐述...
关键词：薄膜 超声喷雾热解 沉积 
用于制备GaN的硅基ZnO过渡层的高温热处理研究被引量：7
《Journal of Semiconductors》1999年第10期862-866,共5页李剑光 叶志镇 汪雷 赵炳辉 袁骏 阙端麟 
我们利用直流反应磁控溅射法制备出在Ｃ轴上取向高度一致的ＺｎＯ 薄膜，为了进一步检验作为高温生长ＧａＮ 材料衬底的可行性，我们模拟衬底加热，进行了样品高温热处理．比较了样品高温热处理前后的晶体性能，发现热处理后使ＺｎＯ ...
关键词：氮化镓 氧化锌 硅基氧化锌 半导体薄膜技术 制备 
MBE生长的InAs薄膜Hall器件
《Journal of Semiconductors》1999年第10期873-876,共4页周宏伟 曾一平 李歧旺 王红梅 潘量 孔梅影 
　利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中。
关键词：MBE生长 Hall器件 砷化铟 半导体薄膜技术 
脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜被引量：9
《压电与声光》1999年第5期387-389,419,共4页黄继颇 王连卫 祝向荣 多新中 林成鲁 
上海市启明星计划
ｃ轴取向的ＡｌＮ 具有优异的压电性和声表面波传输特性，已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射线衍射与傅里叶变换红外光谱的...
关键词：氮化铝 脉冲激光沉积 压电性 半导体薄膜技术 
AlN/GaAs界面的AES和XPS研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第7期539-542,共4页曹昕 罗晋生 陈堂胜 陈克金 
在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键，没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明，ＡｌＮ／ＧａＡ...
关键词：砷化镓 氮化铝 AES XPS 半导体薄膜技术 
MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究
《Journal of Semiconductors》1999年第4期270-273,共4页孙一军 夏冠群 张良莹 姚熹 
中国科学院基金;博士基金
本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明，热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因．
关键词：MOCVD 化合物半导体 重复性 半导体薄膜技术 
Si^+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第3期242-245,共4页刘世祥 刘渝珍 伍勇 石万全 陈志坚 韩一琴 刘金龙 张通和 姚德成 
将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在～ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .73e V的三个光致发光 ( PL)峰 ,经快速热退火 ( RTA)处理后 ,其PL谱峰形发生变化 .本文对
关键词：硅 二氧化硅 RTA 半导体薄膜技术 
硅基GaN薄膜的外延生长被引量：9
《Journal of Semiconductors》1999年第2期143-146,共4页张昊翔 叶志镇 卢焕明 赵炳辉 阙端麟 
国家教委"跨世纪优秀人才"基金;国家自然科学基金
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层表面光亮平整，无裂纹出现，ＸＲＤ图谱上有一ＧａＮ（０００２）...
关键词：氮化镓 硅基 外延生长 半导体薄膜技术 
氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第2期162-167,共6页马智训 廖显伯 何杰 程文超 岳国珍 王永谦 刁宏伟 孔光临 
国家自然科学基金
研究了不同氧含量的ａ－ＳｉＯｘ∶Ｈ薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Ｇａｕｓｉａｎ分谱组成．一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约８３５ｎｍ的伴峰．结合对ＩＲ谱和微区Ｒａｍａｎ谱的分...
关键词：光致发光 氧化硅 半导体薄膜技术 
射频溅射Sn薄膜的工艺研究被引量：1
《传感器技术》1999年第1期7-9,12,共4页蒙冕武 邓希敏 刘明登 
国家自然科学基金
采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Ｓｎ膜形成过程的影响，得到了射频溅射制备Ｓｎ膜新工艺的最佳条件。Ｘ－射线衍射及ＳＥＭ实验结果表明在该工艺条件下得到的Ｓｎ膜为非常细小均匀的β－Ｓｎ的晶体结构。
关键词：射频溅射 二氧化锡 半导体薄膜技术 
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