MBE生长的InAs薄膜Hall器件  

InAs Thin Film Hall Elements Grown by MBE

作　　者：周宏伟[1] 曾一平[1] 李歧旺[1] 王红梅[1] 潘量[1] 孔梅影[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第10期873-876,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：　利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中。InAs thin film (grown by MBE) Hall elements with high sensitivity and low offset voltage temperature drift have been developed. They can be widely used in DC current sensor and brushless motors.

关 键 词：MBE生长 Hall器件 砷化铟 半导体薄膜技术 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.055